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PDTD123EU 发布时间 时间:2025/5/12 19:41:33 查看 阅读:17

PDTD123EU是一款基于N沟道增强型MOSFET技术的功率晶体管,广泛应用于汽车电子、工业控制和电源管理领域。该器件采用了TO-263封装形式,具有低导通电阻和高电流处理能力的特点,能够有效提升系统效率并降低能耗。
  此MOSFET适用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他需要高效能功率切换的应用场景。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:120A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  总功耗:180W
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

PDTD123EU的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,提高整体效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常条件下也能稳定工作。
  3. 快速开关速度,适合高频应用环境。
  4. 符合RoHS标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  5. 内置ESD保护功能,增强了器件的可靠性。
  6. 采用先进的铜夹片技术,提高了热性能和电气连接的稳定性。

应用

这款MOSFET适用于以下应用场景:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级切换。
  2. 工业电机驱动和逆变器设计。
  3. 汽车电子系统中的负载切换。
  4. 大电流DC/DC转换器。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  6. 各种大功率负载开关应用。

替代型号

IRF3205, PTD19N10E, STP120N10F5

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