型号：C1405-B
　　极性：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：1.8A（@VGS=10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：7A
　　导通电阻 RDS(on)：55mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻 RDS(on)：75mΩ（@VGS=4.5V）
　　阈值电压 VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容 Ciss：330pF（@VDS=15V）
　　输出电容 Coss：110pF（@VDS=15V）
　　反向传输电容 Crss：40pF（@VDS=15V）
　　栅极电荷 Qg：6nC（@VGS=10V）
　　体二极管反向恢复时间 trr：25ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23

C1405-B具备出色的开关特性和低导通损耗，是专为高效能、小尺寸电源设计而优化的N沟道MOSFET。其核心优势之一是具有非常低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为55mΩ，在VGS=4.5V时也仅为75mΩ，这意味着在低电压工作条件下仍能保持较高的能量转换效率，减少发热并延长电池寿命。这种低RDS(on)特性对于电池供电设备尤为重要，尤其是在负载开关或电源路径管理中，能够显著降低功率损耗。
　　另一个关键特性是其较低的栅极阈值电压（VGS(th)），典型值为1.0V至2.0V之间，使得该器件可以轻松被逻辑电平信号直接驱动，兼容3.3V甚至更低的微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并节省了外围元件成本。同时，C1405-B拥有良好的栅极电荷（Qg）表现，仅为6nC左右，意味着驱动所需的能量较少，有利于高频开关操作下的功耗控制。
　　该器件还表现出优秀的电容特性，输入电容Ciss约为330pF，输出电容Coss为110pF，反向传输电容Crss为40pF，这些参数有助于减小开关过程中的延迟和振铃现象，提升整体系统的稳定性与响应速度。此外，体二极管的反向恢复时间trr为25ns，属于较快水平，减少了在感性负载或同步整流应用中可能出现的能量回流问题，提高了可靠性。
　　热性能方面，尽管采用SOT-23小型封装，但通过优化芯片结构和封装材料，C1405-B能够在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，确保在各种环境条件下都具备良好的长期可靠性。同时，它具备较强的抗静电能力（HBM ESD rating typically >2kV），增强了在生产装配和实际使用中的鲁棒性。综合来看，C1405-B以其小型化、高效率、易驱动和高可靠性的特点，成为现代便携式电子系统中不可或缺的关键元器件。

C1405-B广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适用于需要高效开关控制和紧凑布局的设计场景。常见应用包括移动设备中的电源管理单元（PMU），如智能手机和平板电脑中的负载开关，用于控制显示屏背光、摄像头模块、传感器或其他外设的供电通断，以实现节能和热管理。
　　在电池管理系统中，C1405-B可用于电池充放电路径的切换控制，配合充电IC实现过流保护和电源冗余切换功能。此外，它也常被用作DC-DC转换器中的同步整流MOSFET，替代传统肖特基二极管，从而提高转换效率并减少热量产生，特别是在升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中表现优异。
　　由于其低阈值电压和良好的线性区控制能力，C1405-B还可用于模拟开关或信号路由电路，例如音频信号的选择或多路数据通道的切换，适用于TWS耳机、智能手表等可穿戴设备。
　　在嵌入式系统和物联网终端设备中，C1405-B常作为微控制器GPIO扩展的驱动级，用于控制LED指示灯、继电器或小型电机的启停。此外，它也适用于各类便携式医疗设备、无线传感器节点、USB电源开关以及电池供电的智能家居产品中，提供安全可靠的电源控制解决方案。

DMG2305UX-7
　　SI2305DS-T1-E3
　　FDS6679A
　　AO3400A
　　TPSMB10P3BT4