时间：2025/9/14 8:14:43
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PDTD113ZUX 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电子设备中的开关和功率控制。该器件采用小型表面贴装封装（通常为 SOT-724 或 SOT-23 封装），适用于便携式设备、电源管理系统和逻辑电路中的低功耗应用。该晶体管具有高开关速度、低导通电阻以及良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：100 mA
最大漏极-源极电压（VDS）：50 V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：1.8 Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：3.5 nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-724
PDTD113ZUX MOSFET 具有优异的开关性能和低导通电阻，适用于低功耗应用场景。该器件采用先进的硅栅工艺制造，具有较高的热稳定性和耐久性。由于其封装小巧，PDTD113ZUX 特别适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
此外，PDTD113ZUX 具有良好的抗静电能力和可靠性，能够在各种工作环境下保持稳定运行。其快速的开关响应时间有助于减少开关损耗，提高系统的整体能效。该器件还具备良好的线性工作区域，适用于模拟开关和线性放大电路。
在制造工艺方面，PDTD113ZUX 采用了 ROHM 的先进沟道设计和封装技术，确保其在高电压和高频率工作条件下依然保持优异的性能。其封装材料符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。
PDTD113ZUX 广泛应用于便携式电子设备中的电源管理电路、逻辑控制电路、负载开关、LED 驱动电路以及模拟信号切换。由于其具备低功耗、小封装和高可靠性等优点，该 MOSFET 常被用于智能手机、平板电脑、智能手表、无线耳机等消费类电子产品。此外，它也可用于工业控制系统、传感器电路和低功耗物联网设备中的信号处理和电源控制应用。
在具体电路设计中，PDTD113ZUX 可用于实现低电压控制的高电压开关操作，例如在 DC-DC 转换器中作为同步整流器，或在电池供电系统中作为断电保护开关。其快速响应特性也使其适用于脉宽调制（PWM）控制电路和电机驱动应用中的低边开关。
2N7002, BSS138, FDV301N, PMV4830EP
