时间：2025/9/14 3:54:58
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PDTD113EUF 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（SOT-23F-5L），适用于高效能和高密度电源管理应用。该器件具备低导通电阻（RDS(on)）特性，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
类型：N沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±8V
连续漏极电流（ID）：100mA
功耗（PD）：150mW
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：SOT-23F-5L
PDTD113EUF MOSFET 的主要特点之一是其极低的导通电阻，典型值为 1.0Ω，在栅极电压为 4.5V 时可实现高效的电流传输。该器件采用先进的沟槽栅极结构技术，能够在有限的封装尺寸内提供出色的电气性能。此外，该 MOSFET 具备快速开关能力，适用于需要高频操作的应用场景，有助于减小外围元件的尺寸并提高系统效率。
另一个显著特点是其良好的热稳定性，SOT-23F-5L 封装设计具有良好的散热性能，能够有效应对在高电流操作下的温升问题。该器件的栅极驱动电压范围适中，兼容标准的 5V 控制电路，适合用于低压电源管理电路。此外，PDTD113EUF 还具有较高的耐用性和可靠性，能够在严苛的工作环境下保持稳定运行。
PDTD113EUF MOSFET 主要用于小型电源管理系统、电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、信号切换电路以及便携式电子设备中的功率控制应用。由于其小型化和高效能的特性，该器件在智能手机、平板电脑、穿戴式设备、无线通信模块以及工业自动化控制系统中都有广泛的应用。在这些应用中，PDTD113EUF 可以作为高侧或低侧开关使用，实现对负载的高效控制。此外，该 MOSFET 也可用于电机驱动、LED 驱动以及传感器电路中的开关元件，提供可靠的功率切换能力。
PDTD113EUF 可以被以下型号替代，如 PDTD113ET、PDTD113EUFN、PDTD113EUJ 等，具体替代型号应根据电路设计需求和封装形式进行选择。
