时间：2025/12/24 0:56:50
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FDMA410NZT 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适合用于各种高效能的电源管理和电机驱动应用。
这款 MOSFET 的设计目标是满足高性能、高效率的应用需求，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流、电机控制以及其他功率转换电路。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：4.8A
导通电阻（典型值）：25mΩ
栅极电荷：11nC
开关时间：ton=13ns, toff=29ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
FDMA410NZT 提供了出色的电气性能，尤其是在低导通电阻方面表现突出。其主要特点如下：
- 极低的导通电阻 Rds(on)，确保在大电流条件下保持较低的功耗和更高的效率。
- 快速开关能力，减少开关损耗并支持高频操作。
- 高雪崩能量能力，提升在异常条件下的可靠性。
- 热稳定性良好，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
- 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
该功率 MOSFET 主要应用于需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于以下领域：
- 开关模式电源 (SMPS) 中的同步整流。
- DC-DC 转换器中的功率开关。
- 负载开关和保护电路。
- 电池管理系统中的充放电控制。
- 各类电机驱动器中的功率级控制。
- 逆变器和其他工业自动化设备中的功率转换模块。
FDMS410NZT, FDP5507N, IRFZ44N
