PDTD113ET是一种双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管,广泛应用于放大和开关电路中。该晶体管具有良好的电流放大特性和稳定性,适合在中等功率应用中使用。PDTD113ET通常采用SOT-23封装,具有较小的尺寸,适合用于空间受限的电子设备中。该晶体管的设计使其能够在较宽的温度范围内稳定工作,因此在工业控制、消费电子和汽车电子等领域都有广泛应用。
类型:NPN晶体管
最大集电极电流(Ic):100mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30V
最大集电极-基极电压(Vcb):30V
最大功耗(Ptot):300mW
电流增益(hFE):110至800(根据不同等级)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装类型:SOT-23
PDTD113ET晶体管具有多个关键特性,使其在电子应用中表现出色。首先,它具有较高的电流增益(hFE),可以在不同等级下提供110至800的增益范围,这使其适用于各种放大电路设计。其次,晶体管的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为30V,使其能够在较高的电压条件下稳定工作。
此外,PDTD113ET的最大功耗为300mW,这使其在中等功率应用中具有良好的热稳定性。SOT-23封装不仅节省空间,而且具有良好的散热性能,适合在高密度PCB布局中使用。该晶体管的工作温度范围从-55°C到+150°C,确保其在极端环境条件下仍能可靠运行,适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的应用领域。
该晶体管还具有较快的开关速度和较低的饱和压降,有助于提高电路的能效和响应速度。其基极-发射极电压(Vbe)通常在0.7V左右,适用于标准的硅晶体管驱动电路。
PDTD113ET晶体管广泛应用于多种电子电路中,主要包括:信号放大电路、开关控制电路、电源管理电路、逻辑门电路、LED驱动电路以及传感器接口电路等。在消费电子领域,它可用于音频放大器、遥控器、家用电器控制电路等;在工业自动化系统中,PDTD113ET可用于继电器驱动、电机控制和传感器信号调理;在汽车电子系统中,它可用于车灯控制、仪表盘显示驱动和车载电源管理系统等。
由于其SOT-23封装体积小巧,PDTD113ET也常用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等设备中的电源开关和信号处理电路。此外,该晶体管还可用于嵌入式系统的I/O接口扩展、电平转换和继电器驱动等应用。
BC547, 2N3904, PN2222, MMBT3904, 2N2222