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PDTC143XU,115 发布时间 时间:2025/9/14 16:32:26 查看 阅读:12

PDTC143XU,115 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要用于通用开关和放大应用,适用于各种电子电路中需要信号放大或开关控制的场合。PDTC143XU,115 采用SOT-23(Small Outline Transistor)封装,具有良好的稳定性和可靠性。其内部结构优化,适合在中低功率条件下工作,并具有较强的耐用性和热稳定性。由于其优异的性能,PDTC143XU,115 被广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域。

参数

晶体类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vce):50 V
  集电极-基极电压(Vcb):50 V
  发射极-基极电压(Veb):5 V
  集电极电流(Ic):100 mA
  功耗(Ptot):300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-23

特性

PDTC143XU,115 具有多个显著的技术特性,使其在众多晶体管产品中脱颖而出。首先,它的最大集电极电流为100 mA,适合用于中低功率放大和开关应用,不会因电流过大而导致器件损坏,同时也保证了在正常工作范围内的稳定性和可靠性。该晶体管的最大集电极-发射极电压为50 V,适用于大多数中压电路设计。此外,其功耗为300 mW,能够在较高的温度环境下正常运行,具有良好的热稳定性。
  PDTC143XU,115 的封装形式为SOT-23,这是一种常见的表面贴装封装,体积小、重量轻,便于在高密度PCB设计中使用。SOT-23封装还具有良好的焊接性能和机械稳定性,非常适合自动化生产和批量应用。此外,该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C,适应各种极端环境条件,包括工业控制和汽车电子等要求较高的应用场景。
  另一个显著特性是其增益带宽积(fT)较高,使得该晶体管在高频放大电路中表现出色,适用于音频放大、射频信号处理等应用。此外,其低噪声特性使其在低电平信号放大方面具有优势,能够有效减少信号失真,提高整体电路性能。
  PDTC143XU,115 的发射极-基极电压最大值为5 V,确保了在正常偏置条件下的安全运行,避免因过压而损坏器件。此外,其反向漏电流较小,有助于提高电路的稳定性和效率,减少不必要的能耗。

应用

PDTC143XU,115 广泛应用于多个电子领域。在工业自动化控制中,它常用于驱动继电器、LED显示屏以及传感器信号放大电路。在消费电子产品中,该晶体管可用于音频放大器、遥控器、电源管理模块等,提供稳定的信号放大和开关控制功能。
  在通信设备中,PDTC143XU,115 可用于射频信号的放大和调制解调电路,特别是在低频段通信系统中表现出良好的性能。此外,在汽车电子系统中,该晶体管常用于车身控制模块(BCM)、车灯驱动、传感器接口电路等,适应汽车环境中较宽的温度变化和较高的电磁干扰要求。
  该晶体管还可用于数字电路中的逻辑开关,如在微控制器外围电路中用于控制LED、继电器或小型电机的通断。由于其SOT-23封装的小型化特点,PDTC143XU,115 也非常适合便携式设备和嵌入式系统中的应用,例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等。

替代型号

BC817-25, 2N3904, 2SC2222A, MMBT3904, PN2222A

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PDTC143XU,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934057543115PDTC143XU T/RPDTC143XU T/R-ND