时间：2025/9/14 5:56:25
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PDTC143XQAZ 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），其设计适用于高效率的功率转换和开关应用。这款晶体管采用了先进的工艺技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于各类电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：4.1A
最大漏源电压（VDS）：20V
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：145mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：1.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOT-23
晶体管配置：单晶体管
PDTC143XQAZ 的主要特性之一是其较低的导通电阻，这使得它在高电流应用中具有更低的功率损耗和更高的效率。其 RDS(on) 值在 VGS=4.5V 时仅为 145mΩ，这在低电压电源管理系统中尤为重要。此外，该器件能够在较高的温度环境下稳定工作，具备良好的热稳定性。由于其采用 SOT-23 封装，体积小巧，适用于空间受限的设计，同时具备较高的集成度和可靠性。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，能够有效降低开关损耗，提高系统的整体响应速度。其栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 12V 的栅极电压输入，使其能够兼容多种控制器和驱动电路。此外，PDTC143XQAZ 的制造工艺符合 RoHS 环保标准，适合用于绿色电子产品的设计。
PDTC143XQAZ 广泛应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）和电机驱动电路。在 DC-DC 转换器中，它可以用作主开关器件，以实现高效率的能量转换；在负载开关应用中，它可以用于控制负载的通断，从而实现节能和过载保护功能。此外，该器件也适用于便携式电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中的电源控制模块。由于其具备较高的热稳定性和可靠性，PDTC143XQAZ 在高温环境下的表现尤为出色。
DMG9435UW-7, BSS138K
