PDTC123EM 时间：2025/9/14 3:48:14 阅读：11

PDTC123EM 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 SOT-416（也称为 SC-75）封装。该器件适用于多种开关和放大应用，因其低导通电阻、快速开关速度和高可靠性而广泛用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器和逻辑驱动电路中。PDTC123EM 的设计使其能够在相对较小的封装中提供较高的电流处理能力，同时保持较低的功耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS=4.5V
　　功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-416 (SC-75)
　　极数：1

特性

PDTC123EM 具备多项优良特性，使其在小型化和高效能电子系统中具有广泛应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为 2.5Ω，使得在导通状态下功率损耗较小，从而提高系统效率。其次，该器件的栅极驱动电压范围适中，通常在 4.5V 左右即可完全导通，适用于多种逻辑电平控制电路，如微控制器（MCU）和数字信号处理器（DSP）的输出驱动。此外，PDTC123EM 的封装为 SOT-416，尺寸小巧，便于在空间受限的设计中使用，例如便携式设备、智能传感器和穿戴式电子产品。
　　该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。此外，其最大漏极电流为 100mA，在小型 MOSFET 中属于较高水平，足以驱动小型继电器、LED 阵列、蜂鸣器等低功耗负载。功率耗散能力为 300mW，配合良好的 PCB 布局设计，可以有效散热，避免过热损坏。同时，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关电路，从而提高系统响应速度和效率。

应用

PDTC123EM 广泛应用于多个电子领域，特别是在需要小型化和低功耗设计的场合。其典型应用包括但不限于以下方面：在便携式电子产品中，作为负载开关或 LED 驱动电路；在微控制器系统中，作为 I/O 接口的扩展开关，用于控制外部设备的通断；在电池管理系统中，作为充放电路径的控制开关；在工业自动化设备中，用于小型执行机构（如继电器、蜂鸣器）的控制；在汽车电子中，用于车载传感器、仪表盘背光调节和小型电机控制等场景。此外，PDTC123EM 也可用于 DC-DC 转换器、电平转换电路以及电源管理模块中，以提高能效和简化电路设计。