时间：2025/8/9 12:10:20
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FMA13N60E-F91 是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制及照明驱动等高功率场景。该器件采用先进的平面工艺制造，具有优良的热稳定性和可靠性。FMA13N60E-F91 的最大漏源电压（VDS）为600V，适合于高电压工作环境。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：600V
最大栅源电压（VGS）：±30V
最大连续漏极电流（ID）：13A
最大功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
FMA13N60E-F91 MOSFET具有多个显著的性能特点，使其适用于多种高功率应用。首先，该器件的高耐压能力（600V VDS）使其能够在高压系统中稳定运行，例如电源适配器和电机驱动器。其次，13A的最大连续漏极电流（ID）保证了其在高负载条件下的性能表现，能够满足如电源转换器等对电流需求较高的应用。此外，该MOSFET的栅源电压范围为±30V，具备良好的栅极驱动兼容性，可与多种驱动电路配合使用。其TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和散热片的集成。FMA13N60E-F91的导通电阻（RDS(on)）较低，通常在0.35Ω以下，有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。该器件还具备良好的短路和过热保护能力，增强了系统的稳定性和安全性。此外，FMA13N60E-F91的工作温度范围较宽，从-55°C至+150°C，适应性强，适合在各种环境条件下使用。综上所述，FMA13N60E-F91是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，适用于多种工业和消费类电子应用。
FMA13N60E-F91 MOSFET主要应用于以下领域：首先是开关电源（SMPS），用于AC-DC转换器中的高频开关控制，提高能效并减少发热。其次，该器件常用于DC-DC转换器，如升压（Boost）和降压（Buck）变换器，实现高效的电压调节。此外，在电机控制电路中，FMA13N60E-F91可用于H桥驱动，实现直流电机或步进电机的速度与方向控制。LED照明驱动电路中也常见该MOSFET的身影，用于恒流控制和调光功能。此外，FMA13N60E-F91还可用于逆变器、UPS（不间断电源）系统和电焊设备等高功率电子系统中，提供稳定的开关性能。
FQA13N60C, IRFBC40, STF12N60DM2, FDPF13N60
