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PDTC115EMB,315 发布时间 时间:2025/9/14 3:25:39 查看 阅读:3

PDTC115EMB,315是一种双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它由恩智浦半导体公司(NXP Semiconductors)制造,常用于低频和中频放大器、开关电路以及通用模拟电路中。该晶体管采用SOT-23(小外形晶体管)封装,适用于表面贴装技术(SMT),在各种电子设备中广泛使用,包括消费类电子产品、工业控制系统以及通信设备。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(Vce):最大50V
  集电极-基极电压(Vcb):最大50V
  发射极-基极电压(Veb):最大5V
  集电极电流(Ic):最大100mA
  功率耗散(Ptot):300mW
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):根据不同的等级,典型值在110至800之间
  封装类型:SOT-23

特性

PDTC115EMB,315晶体管具有优异的电气性能和稳定性,适用于多种电子应用。其主要特性包括高电流增益(hFE),能够在不同工作条件下提供稳定的放大性能。该晶体管的增益值可以根据需求分为多个等级,便于设计者选择适合特定应用的型号。此外,PDTC115EMB,315具有较高的频率响应,适合用于高频放大电路。其最大频率响应(fT)为100MHz,这使得它能够在中高频范围内有效工作。
  该晶体管还具有良好的热稳定性和较低的饱和压降(Vce_sat),使其在开关电路中表现出色。低饱和压降意味着在导通状态下,晶体管的功耗较低,从而提高了电路的整体效率。此外,PDTC115EMB,315的封装设计紧凑,适合在高密度电路板上使用,节省空间并简化制造流程。
  这款晶体管的工作温度范围较宽,能够在-55°C至+150°C之间正常工作,因此适用于各种环境条件下的电子设备。其热阻(Rth)较低,有助于在高功率应用中保持良好的散热性能。此外,该晶体管的可靠性较高,能够在长时间运行中保持稳定的性能。

应用

PDTC115EMB,315晶体管广泛应用于多个领域,包括消费类电子产品、工业控制系统、通信设备等。常见的应用包括音频放大器、信号放大器、开关电路以及通用模拟电路。在音频放大器中,该晶体管可以用于前置放大或功率放大,提供高质量的音频输出。在开关电路中,PDTC115EMB,315的低饱和压降和高电流容量使其成为理想的开关元件,能够高效地控制负载的导通和关断。
  在工业控制系统中,该晶体管可用于传感器信号放大、继电器驱动以及逻辑电路的控制。由于其较高的可靠性和稳定性,PDTC115EMB,315也常用于汽车电子系统,如车载音响、电动机控制以及照明系统。此外,它还被广泛应用于通信设备中的射频(RF)放大和信号处理电路,确保信号的高效传输和接收。

替代型号

BC817, 2N3904, PN2222

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PDTC115EMB,315参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.28676卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)20 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)100 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 5mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 250μA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1μA
  • 频率 - 跃迁230 MHz
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XFDFN
  • 供应商器件封装DFN1006B-3