类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.2Ω
　　栅极电压（VGS）：±30V
　　最大工作温度：150℃
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W

JCS7N80FC具备出色的电气性能和热稳定性，能够在高电压条件下提供高效能的开关操作。其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件具有较高的电流承载能力和良好的瞬态响应能力，使其适用于高要求的功率管理应用。JCS7N80FC还具备良好的抗雪崩击穿能力，确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
　　该MOSFET采用了优化的封装设计，能够有效散热，延长器件的使用寿命。其TO-220封装形式适用于各种标准电路板安装，并提供了良好的机械稳定性和电气连接可靠性。JCS7N80FC的高栅极绝缘强度和低漏电流特性也使其在高频开关应用中表现出色，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
　　此外，JCS7N80FC在制造过程中采用了环保材料和工艺，符合RoHS标准，确保了其在电子产品中的广泛应用。其优异的短路耐受能力和过温保护特性也使其在工业控制、电源转换和电动工具等领域得到了广泛认可。

JCS7N80FC适用于多种高电压和高功率应用场景，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、照明控制系统、电动工具以及工业自动化设备。由于其高可靠性和优异的电气性能，该器件也常用于家用电器和汽车电子系统中的功率管理电路。

7N80C, FQA7N80C, FQP7N80C