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PDTC115EM,315 发布时间 时间:2025/9/14 13:06:34 查看 阅读:15

PDTC115EM,315 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于 NPN 型晶体管。该器件设计用于通用开关和放大应用,具有良好的性能和可靠性,适合在各种电子电路中使用。PDTC115EM,315 采用 SOT-23 封装,具有较小的体积,便于在高密度 PCB 设计中使用。

参数

类型:NPN 型晶体管
  封装:SOT-23
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  直流电流增益(hFE):110 - 800(取决于测试条件)
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PDTC115EM,315 晶体管具有多个优异的电气特性,适用于各种通用电子电路。其 NPN 结构提供了良好的电流放大能力,hFE(直流电流增益)范围较宽,从 110 到 800,可根据不同的应用需求选择合适的工作点。该晶体管的过渡频率(fT)为 100 MHz,使其在高频放大电路中也具有良好的表现。
  此外,PDTC115EM,315 采用 SOT-23 小型封装,节省空间且便于自动化装配。最大集电极电流为 100 mA,最大集电极-发射极电压为 50 V,具备较强的耐压能力和稳定性。最大功耗为 300 mW,适用于低功耗电路设计。其工作温度范围从 -55°C 到 +150°C,具备良好的热稳定性和环境适应性,适合在各种工业环境中使用。

应用

PDTC115EM,315 适用于多种电子电路设计,包括信号放大电路、开关控制电路、逻辑门电路、电源管理电路以及传感器接口电路等。由于其高频特性和良好的电流驱动能力,它也常用于音频放大器、数据通信设备和嵌入式控制系统中。此外,该晶体管还可用于 LED 驱动、继电器控制和小型电机驱动等应用场景。

替代型号

BC847系列, 2N3904, PN2222

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PDTC115EM,315参数

  • 标准包装10,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)20mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)100k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)100k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-101,SOT-883
  • 供应商设备封装SOT-883
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称568-2144-2934057173315PDTC115EM T/R