时间：2025/9/7 5:41:36
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DAM1MA43 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等高功率电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大3.7mΩ（@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
DAM1MA43具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻可显著降低系统功率损耗，提高能效。
该器件采用了东芝先进的U-MOS V沟槽技术，实现了更高的电流密度和更小的芯片尺寸，从而提升了功率密度。
其高耐压特性（60V）使其适用于各种中高功率应用场景，如电动工具、电动自行车、电源适配器及工业控制设备。
此外，D2PAK封装提供了良好的热管理性能，有助于快速散热，确保器件在高温环境下稳定运行。
DAM1MA43还具备良好的抗雪崩能力，能够承受瞬态过电压和高能量脉冲，增强系统的可靠性。
该MOSFET支持快速开关操作，适用于高频开关电源设计，减少开关损耗并提高系统效率。
同时，其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
DAM1MA43常用于各类高功率电子设备中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电动工具和电动车辆的功率控制系统、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电机驱动、功率因数校正（PFC）电路以及各种高电流负载的开关控制应用。
TKA120N60W5, IPP120N6S4-03, SiR120DP
