PDTB123ET 时间：2025/9/14 14:16:19 阅读：10

PDTB123ET 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件主要用于通用开关和放大应用，具有良好的性能和可靠性，适合在各种电子电路中使用。PDTB123ET 采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在 PCB 上布局和安装。该晶体管内部集成了一个电阻器（通常为 10kΩ 和 10kΩ 的分压电阻），简化了电路设计，减少了外部元件的数量。

参数

晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 @ Ic=2 mA, Vce=5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PDTB123ET 的一大特点是其内置的基极电阻网络，使其非常适合用于逻辑电平转换、开关应用和简单的放大电路。该晶体管的基极-发射极之间集成了两个 10kΩ 的电阻，一个连接到基极，一个连接到发射极，形成一个分压网络，有助于直接从数字信号源（如微控制器）驱动晶体管，而无需额外的偏置电阻。这种集成设计不仅简化了电路设计，还减少了 PCB 上的元件数量，提高了电路的可靠性。
　　此外，PDTB123ET 具有良好的热稳定性和较高的最大工作电压（50V），适用于多种中低功率应用。其 SOT-23 小型封装使其非常适合用于空间受限的便携式设备和消费类电子产品。由于其 NPN 构造，PDTB123ET 在导通状态下具有较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低功耗并提高效率。
　　该晶体管还具有良好的频率响应特性，适用于中高频开关应用。其 hFE（电流增益）在典型工作条件下可达到 110 或更高，确保了良好的信号放大能力。PDTB123ET 的工作温度范围广泛，能够在 -55°C 至 150°C 的环境下稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

PDTB123ET 主要用于通用开关电路、逻辑电平转换、LED 驱动、继电器驱动、小型电机控制、音频放大器和数字电路接口等领域。在微控制器应用中，它常用于将低电流输出信号放大为高电流信号以驱动负载，如继电器、LED 显示屏或小型直流电机。由于其内置电阻设计，PDTB123ET 特别适合用于简化电路设计，减少外部元件数量，适用于消费类电子产品、汽车电子系统、工业控制系统和便携式设备中的低功耗开关应用。