时间：2025/9/14 4:37:22
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PDTB123EQAZ 是一款由 STMicroelectronics 生产的 IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片，广泛应用于高功率电子设备中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，适用于需要高效能和高可靠性的场合。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压（Vce）：1200V
最大集电极电流（Ic）：50A
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：15V 至 20V
PDTB123EQAZ 具有优异的动态和静态性能，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。该器件的导通压降较低，有助于减少功率损耗并提高系统效率。此外，PDTB123EQAZ 具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供可靠的保护功能。其采用先进的沟槽栅和场截止技术，进一步优化了开关性能和导通损耗。该IGBT还具有较高的热稳定性，适用于各种高功率应用环境。
在设计上，PDTB123EQAZ 提供了优化的开关速度，以减少开关损耗，同时保持了良好的电磁干扰（EMI）特性。该器件的封装形式为TO-247，便于散热和安装，并确保在高功率应用中的可靠性。此外，它还具备良好的抗热疲劳能力和长期稳定性，适用于工业电机驱动、电源转换器、UPS系统和可再生能源系统等应用。
PDTB123EQAZ 常用于工业电机控制、逆变器、电源转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等高功率电子设备中。由于其优异的性能和可靠性，该IGBT特别适合用于需要高效能和高稳定性的场合。
PDTB123EQAZ 的替代型号包括 STMicroelectronics 的 STGY100N120D和英飞凌的IGW40N120H3
