时间：2025/7/9 15:01:10
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FN15N470G500PNG 是一款高性能的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor 生产。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效率和低导通损耗的应用场景中。
FN15N470G500PNG 的设计采用了先进的沟槽式技术，从而实现了更低的导通电阻和更高的电流处理能力。其封装形式为 TO-247，适合于大功率应用场合。
最大漏源电压：470V
最大连续漏极电流：15A
导通电阻：0.5Ω
栅极电荷：130nC
总功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-247
FN15N470G500PNG 具有以下主要特性：
1. 高电压耐受能力，额定漏源电压高达 470V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻设计，仅为 0.5Ω，在高电流条件下能够显著降低功耗。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷，能够有效减少开关损耗。
4. 良好的热性能表现，支持高功率密度的设计。
5. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +150℃，适应各种严苛的工作条件。
6. 可靠性高，经过严格的质量控制流程制造而成。
FN15N470G500PNG 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率开关。
3. DC-DC 转换器中的同步整流管。
4. 太阳能逆变器中的功率转换元件。
5. 各类工业设备中的高压功率控制模块。
由于其高电压和大电流处理能力，这款 MOSFET 在电力电子行业中具有重要的地位。
IRFP460, STP15NF47, FQA15N50E
