时间：2025/9/14 14:37:43
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PDTB114EUX 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供较低的导通电阻和优异的开关性能。PDTB114EUX 的封装形式为 PowerSSO-24（也称为 TO-263 或 D2PAK），适用于表面贴装，适合在高电流和高功率密度环境中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：100V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：70A（在 Tc=25°C）
脉冲漏极电流(Idm)：280A
导通电阻(Rds(on))：最大 2.5mΩ（当 Vgs=10V 时）
栅极电荷(Qg)：90nC
功率耗散(Pd)：300W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PDTB114EUX 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得器件在导通状态下损耗极小，从而提高整体系统的效率。其最大 Rds(on) 为 2.5mΩ，当栅极驱动电压为 10V 时，能够显著降低功耗，适用于高电流负载的应用场景。此外，该 MOSFET 具有较高的额定电流能力，连续漏极电流可达 70A，并能承受高达 280A 的脉冲电流，因此非常适合用于电机控制、DC-DC 转换器、电池管理系统等高功率场合。
另一个重要特性是其较高的热稳定性与可靠性。该器件采用 PowerSSO-24 封装，具有良好的热管理性能，能够快速散热，从而在高功率运行时保持较低的结温。此外，其最大功率耗散达到 300W，表明该器件能够在高负载条件下长时间稳定运行。
该 MOSFET 还具有较低的栅极电荷（Qg）值为 90nC，这意味着其开关速度较快，开关损耗较低，有助于提升高频开关应用的效率。同时，该器件的栅极-源极电压范围为 ±20V，使其在不同的驱动条件下具有良好的稳定性，减少了因过压而导致损坏的风险。
最后，PDTB114EUX 的工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的温度适应性，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。
PDTB114EUX 广泛应用于各种高功率和高效率的电子系统中。其中，最常见的应用领域包括 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、功率因数校正（PFC）电路以及汽车电子中的功率控制模块。在电机控制应用中，该 MOSFET 可以用于 H 桥结构，实现电机的正反转控制和制动功能。
在电源管理系统中，PDTB114EUX 由于其低导通电阻和高电流能力，常被用于高效同步整流拓扑中，以减少功率损耗并提高转换效率。此外，在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池组的安全运行。
该 MOSFET 同样适用于高功率负载开关应用，例如工业自动化设备、电源分配系统以及不间断电源（UPS）等。由于其出色的热管理和高可靠性，PDTB114EUX 也是汽车电子系统（如电动助力转向系统、车载充电器、车身控制模块等）的理想选择。
STP75NF75, IRF1404, FDP7030AL
