时间：2025/5/22 16:31:27
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ITS4200S-SJ-D是一款基于超结（Super Junction）技术的MOSFET功率器件，主要应用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及逆变器等场景。该器件具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著降低功率损耗并提升系统整体效率。
型号：ITS4200S-SJ-D
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源极电压）：650V
Rds(on)（导通电阻）：180mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
Id（持续漏极电流）：10A
Qg（栅极电荷）：47nC（典型值）
Eoss（输出电容能量损失）：95μJ（最大值）
Tj（工作结温范围）：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247
ITS4200S-SJ-D采用了先进的超结结构设计，使得其在高压条件下依然保持较低的导通电阻，从而减少传导损耗。
此外，该器件具有快速的开关性能，可以有效降低开关过程中的动态损耗。其优化的栅极电荷参数有助于实现更高的开关频率，同时减少了电磁干扰的可能性。
该器件还具备出色的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。其耐用性和抗雪崩能力较强，可承受一定的负载突变或短路情况下的冲击。
得益于其高能效表现，这款MOSFET非常适合用于需要紧凑型设计且对效率要求较高的应用场景。
ITS4200S-SJ-D广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），例如适配器、充电器和工业电源。
2. DC-DC转换器，适用于电动汽车（EV）、不间断电源（UPS）以及通信基站等领域。
3. 电机驱动电路，用于家用电器、工业自动化设备及电动工具。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关的电力变换装置。
5. 高频谐振电路，如LLC谐振转换器。
ITS42N65R090M1, IRFP460, STP10NK65Z
