PDTB114ETR是一款由Diodes Incorporated生产的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要用于通用开关和放大应用。其设计支持中等功率处理能力,适用于多种电子设备中的基础电路设计。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(Ic):100 mA
最大集电极-发射极电压(Vce):30 V
最大集电极-基极电压(Vcb):30 V
最大功耗(Ptot):200 mW
增益带宽积(fT):100 MHz
电流增益(hFE):110(最小值)至800(最大值)
封装类型:SOT-23
PDTB114ETR是一款多功能的双极性晶体管,适用于广泛的模拟和数字电路设计。其NPN结构使其在放大和开关电路中表现出色。晶体管的最大集电极电流为100 mA,能够处理中等功率水平的信号,而最大集电极-发射极电压为30 V,使其能够适应较高电压的应用场景。此外,该晶体管的最大功耗为200 mW,保证了其在较高负载下的稳定运行。
晶体管的增益带宽积(fT)为100 MHz,表明其在高频应用中具有良好的响应特性。电流增益(hFE)范围为110至800,提供了较大的设计灵活性,允许用户根据具体需求选择合适的偏置条件。这种晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,便于集成到高密度电路板设计中。
在工作温度范围内,PDTB114ETR的性能稳定,能够满足工业级应用的需求。其低饱和压降和快速开关特性使其在数字开关电路中表现优异,同时在音频放大器、信号调节电路等模拟应用中也具有良好的线性度和稳定性。
PDTB114ETR广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. **开关电路**:由于其快速开关特性和较低的饱和压降,该晶体管常用于电源管理、继电器驱动和LED控制等数字开关应用。
2. **放大电路**:在音频放大器、信号放大和传感器信号调理等模拟电路中,PDTB114ETR提供了良好的增益和频率响应,适合用于前置放大器和中等功率放大级。
3. **接口电路**:作为电平转换器或缓冲器,用于连接不同电压域的电路模块,确保信号的完整性。
4. **嵌入式系统**:在微控制器外围电路中,用于控制外围设备如电机、风扇和继电器等。
5. **消费电子**:在手机、平板电脑和可穿戴设备等产品中,用于电源管理和信号处理电路。
BC847BDS, 2N3904, PN2222A