时间：2025/9/14 17:19:58
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PDTB113ZUX是一款由Diodes Incorporated生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的Trench沟槽工艺制造，具有低导通电阻（RDS(ON)）、高效率和良好的热性能。这款MOSFET专为高效率电源转换和负载管理应用设计，适用于各种需要高性能功率开关的场合。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（VDS）：20V
最大漏极电流（ID）：4.3A（连续）
导通电阻（RDS(ON)）：80mΩ @ VGS = 4.5V
栅极阈值电压（VGS(th)）：0.65V ~ 1.2V
最大功耗（PD）：1.4W
封装形式：SOT26（SOT-23-6）
PDTB113ZUX采用了先进的Trench MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件的栅极驱动电压较低，适用于多种电压调节和控制电路。此外，其小尺寸封装使其适用于空间受限的设计，同时具备良好的散热性能。器件内部优化了开关特性和体二极管恢复特性，有助于在高频开关应用中减少损耗。
该MOSFET具备良好的热稳定性，在高负载条件下仍能保持稳定运行。SOT26封装形式不仅节省空间，还便于自动贴装和焊接。此外，其工作温度范围宽广，可在-55°C至150°C之间稳定工作，适应多种环境条件。PDTB113ZUX还具备高雪崩能量耐受能力，增强了器件的可靠性和耐用性。
PDTB113ZUX广泛应用于各类便携式电子设备、电源管理系统、DC-DC转换器、电池供电系统、负载开关和电机控制电路中。其低导通电阻和高效率特性也使其适用于电源管理和节能应用，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、LED照明驱动电路以及工业控制设备中的功率开关。
PDTB113ZU, BSS138, 2N7002, FDN340P
