PDTB113ZUF 时间：2025/9/14 5:30:16 阅读：11

PDTB113ZUF 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用小型表面贴装封装（如 UF-VDFN 封装），适用于高密度电路设计。该器件具有低导通电阻、快速开关特性以及良好的热稳定性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、马达驱动器等多种电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：6A
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：42mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：UF-VDFN

特性

PDTB113ZUF 具有以下几个显著特性：
　　首先，它拥有极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=4.5V 时仅为 32mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，特别适用于高电流应用。此外，在较低的栅极电压（如 2.5V）下，导通电阻仍保持在合理范围内（42mΩ），使其适用于低电压控制电路。
　　其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构和高密度芯片设计，提高了器件的热稳定性和电流承载能力，能够在高负载条件下保持稳定运行。其小型封装设计（UF-VDFN）不仅节省空间，还便于实现高密度 PCB 布局，适用于便携式设备和空间受限的设计。
　　再者，PDTB113ZUF 具有良好的开关性能，能够实现快速导通和关断，减少开关损耗并提高系统响应速度。这种特性使其适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、同步整流器等。
　　最后，该器件的工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，具备良好的环境适应性和可靠性，适用于工业控制、汽车电子、消费类电子产品等多种应用场景。

应用

PDTB113ZUF 广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件适用于同步整流、负载开关、电池管理系统等，其低导通电阻和高效能使其成为节能设计的理想选择。在 DC-DC 转换器中，PDTB113ZUF 可作为高边或低边开关，支持高频工作，提高转换效率。
　　在汽车电子领域，PDTB113ZUF 适用于车载电源系统、LED 照明驱动、电动助力转向系统等，其宽工作温度范围和高可靠性确保在严苛环境下稳定运行。
　　此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化设备、电机驱动、传感器控制等应用。其紧凑的封装设计也使其适用于便携式设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块。