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PDTB113ZT,215 发布时间 时间:2025/9/14 18:42:23 查看 阅读:11

PDTB113ZT,215 是由Nexperia(原恩智浦半导体的小信号部门)生产的一种双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该器件采用SOT23(Small Outline Transistor)封装,适用于各种通用开关和放大应用。PDTB113ZT,215 是一款低成本、高性能的晶体管,广泛用于消费类电子产品、工业控制、通信设备等领域。该晶体管具有良好的稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作。

参数

晶体管类型:PNP
  封装类型:SOT23
  最大集电极-发射极电压(VCEO):-100V
  最大集电极电流(IC):-100mA
  最大功耗(PD):300mW
  增益(hFE):110至800(根据档位不同)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

PDTB113ZT,215 是一款通用PNP型晶体管,具有优异的电气特性和稳定性。其主要特性包括高电流增益(hFE)、低饱和压降(VCE(sat))和良好的热稳定性。晶体管的增益根据不同的应用需求分为多个等级,用户可以根据具体电路设计选择合适的增益等级。该晶体管的SOT23封装具有小巧的体积,适用于高密度PCB布局设计。
  此外,PDTB113ZT,215 在工作时的功耗较低,能够在多种电源条件下保持稳定运行。其最大集电极-发射极电压为-100V,集电极电流为-100mA,适用于中低功率的开关和放大电路。该器件还具备良好的耐高温性能,可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作,适用于工业级和汽车电子应用。
  在实际应用中,PDTB113ZT,215 常用于数字开关控制、模拟信号放大、逻辑电平转换等场景。由于其广泛的应用范围和稳定的性能,该晶体管被广泛应用于各类电子设备中。

应用

PDTB113ZT,215 适用于多种电子电路设计,包括数字开关控制电路、音频放大电路、电源管理电路、传感器信号调理电路等。由于其良好的性能和小尺寸封装,该晶体管也广泛应用于便携式设备、智能家居产品、工业控制系统、通信模块等应用场景。此外,它还可用于LED驱动、继电器控制、马达控制等功率开关应用。

替代型号

BC847 PNP, PN2907, 2N3906

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PDTB113ZT,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)1k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)70 @ 50mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 2.5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058979215PDTB113ZT T/RPDTB113ZT T/R-ND