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PDTA143ZU,115 发布时间 时间:2025/9/14 18:38:14 查看 阅读:11

PDTA143ZU,115 是一款由Nexperia(原飞利浦半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于PNP型晶体管。该晶体管专为高可靠性应用而设计,具有低饱和压降和良好的热稳定性,适用于各种电子电路中的开关和放大功能。PDTA143ZU,115 采用SOT-323(也称为SC-70)封装,是一种小型表面贴装器件,适用于高密度电路板设计。

参数

类型:PNP型晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  集电极电流(IC):100mA
  功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  增益带宽积(fT):100MHz
  电流增益(hFE):110-800(根据不同档位)

特性

PDTA143ZU,115 具有多个显著的电气和物理特性,使其适用于各种电子应用。首先,该晶体管的PNP结构使其能够在负电压条件下有效工作,适用于多种电路拓扑结构。其最大集电极-发射极电压为50V,集电极电流为100mA,适合中等功率应用。
  其次,该器件采用了SOT-323封装,具有小型化和轻量化的特点,适用于高密度PCB布局。这种封装形式还具有良好的热性能,有助于在高功耗条件下保持稳定运行。
  此外,PDTA143ZU,115 的电流增益(hFE)范围广泛,从110到800不等,具体取决于器件的等级划分。这使得设计人员可以根据具体应用需求选择合适的晶体管,从而优化电路性能。
  该晶体管的工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,确保其在极端环境条件下仍能保持稳定工作。这种特性使其适用于工业控制、汽车电子和消费类电子产品等多种应用场景。
  最后,PDTA143ZU,115 的低饱和压降特性有助于减少功率损耗,提高能效。结合其较高的增益带宽积(100MHz),该晶体管能够在较高频率下工作,适用于高频开关和信号放大应用。

应用

PDTA143ZU,115 主要用于以下几类应用。在开关电路中,该晶体管可以作为电子开关,控制负载的导通与关断,常用于LED驱动、继电器控制、电源管理模块等场合。其高电流增益和低饱和压降特性使其非常适合用于需要高效能的开关应用。
  在放大电路方面,PDTA143ZU,115 可用于音频放大器、射频放大器和传感器信号放大器等场合。由于其100MHz的增益带宽积,该晶体管能够处理较高频率的信号,适合用于通信设备和无线模块中的信号放大部分。
  在电源管理方面,该晶体管可用于稳压器、DC-DC转换器和电池充电电路。其宽工作温度范围和良好的热稳定性使其在高温环境下也能稳定运行,适用于车载电子和工业设备。
  此外,PDTA143ZU,115 还广泛用于嵌入式系统、微控制器外围电路和数字逻辑电路中。由于其SOT-323封装的紧凑性,该晶体管特别适合用于空间受限的便携式电子产品,如智能手机、智能手表和可穿戴设备。

替代型号

BC856系列, 2N3906, MMBT3906

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PDTA143ZU,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大200mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934057537115PDTA143ZU T/RPDTA143ZU T/R-ND