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PDTA123YT,215 发布时间 时间:2025/9/14 13:44:13 查看 阅读:6

PDTA123YT,215 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件主要设计用于通用开关和放大应用,具有较高的可靠性和稳定性。该晶体管采用SOT-416(也称为TSOP-6)封装,适用于表面贴装技术(SMT),广泛用于便携式电子产品、消费类电子设备和工业控制系统。

参数

类型:NPN晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):50V
  发射极-基极电压(VEBO):5V
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大功耗(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-416(TSOP-6)

特性

PDTA123YT,215晶体管具有多项优异的电气特性,适用于各种通用电子电路设计。
  首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压(VCEO)为50V,集电极-基极电压(VCBO)和发射极-基极电压(VEBO)分别为50V和5V,使其在中等电压环境下具有良好的耐压性能,适合多种电源电压下的工作条件。
  其次,PDTA123YT,215的最大集电极电流为100mA,适用于中等电流的开关和放大应用,例如在数字逻辑电路中作为开关元件,或在音频放大电路中作为前置放大器级。其最大功耗为200mW,确保在高频率或连续工作状态下仍能保持良好的热稳定性。
  此外,该器件的封装形式为SOT-416(TSOP-6),体积小巧,适合表面贴装技术(SMT),适用于高密度PCB布局和自动化生产流程。其工作温度范围为-55°C至150°C,使其在工业级环境和消费类电子产品中均能稳定运行。
  在性能方面,PDTA123YT,215具有较低的饱和电压(VCE(sat)),可减少功率损耗并提高能效,同时具备良好的电流增益(hFE)特性,在不同工作条件下均能保持稳定的放大性能。这使得该晶体管非常适合用于需要快速开关和高效能的电路设计中。

应用

PDTA123YT,215晶体管广泛应用于多种电子系统和设备中。其主要应用包括通用开关电路、逻辑电平转换、LED驱动、继电器控制以及音频放大器的前置放大阶段。
  由于其低饱和电压和高电流增益特性,PDTA123YT,215非常适合用于数字电路中的开关控制。例如,在微控制器或数字逻辑电路中,该晶体管可用于驱动继电器、LED或小型电机等负载。其SOT-416封装形式也使其非常适合用于空间受限的便携式设备,如智能手机、平板电脑和穿戴式电子产品。
  此外,该晶体管还可用于模拟电路中的信号放大,特别是在低频和中频放大应用中表现出色。例如,在音频放大器中,它可以作为前置放大级,将微弱信号放大至合适的电平,以便后续放大器进一步处理。
  工业自动化系统中,PDTA123YT,215也可用于传感器信号处理、开关电源控制以及电机驱动电路中。其宽广的工作温度范围和高可靠性使其适用于恶劣的工业环境。

替代型号

MMBT3904, 2N3904, BC817, 2N4401

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PDTA123YT,215参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)35 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934058187215PDTA123YT T/RPDTA123YT T/R-ND