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PDTA123EMB,315 发布时间 时间:2025/9/13 21:06:37 查看 阅读:22

PDTA123EMB,315 是一款由 Nexperia(安世半导体)生产的双极性晶体管(BJT)阵列,适用于多种电子开关和放大应用。该器件集成了多个晶体管结构,具备高可靠性和紧凑的封装设计,广泛用于工业控制、消费电子和汽车电子领域。PDTA123EMB,315 属于 NPN 和 PNP 晶体管的组合结构,提供了一种经济高效的多晶体管集成解决方案。

参数

类型:双极性晶体管(BJT)阵列
  晶体管配置:1个NPN + 1个PNP
  最大集电极电流(Ic):100 mA(每个晶体管)
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V(NPN),50 V(PNP)
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V(NPN),50 V(PNP)
  最大功耗(Ptot):300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT-363(TSSOP)
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

PDTA123EMB,315 的设计使其在多个方面表现出色。首先,该器件采用先进的硅技术制造,具有良好的热稳定性和高频响应,适用于中低功率的信号放大和开关控制。其次,其NPN和PNP晶体管的组合配置允许用户在一个封装内实现互补操作,从而简化了电路设计并减少了PCB空间的占用。此外,该器件的SOT-363封装具有优良的机械强度和耐环境能力,适用于高密度组装和自动化生产流程。
  在电气特性方面,PDTA123EMB,315 的每个晶体管都具有较低的饱和压降(Vce_sat),有助于减少功率损耗并提高系统效率。其最大工作电压为50V,适合中等电压应用,同时具备较高的电流增益(hFE),在不同工作条件下仍能保持稳定的放大性能。该晶体管阵列还具有较强的抗静电能力,增强了在复杂电磁环境中的可靠性。
  另外,PDTA123EMB,315 的功耗较低,适用于便携式设备和节能型电子产品。其封装材料符合RoHS标准,符合环保要求,支持无铅焊接工艺。这种晶体管阵列常用于逻辑接口电路、LED驱动、继电器控制、电平转换以及数字开关等应用场景。

应用

PDTA123EMB,315 被广泛应用于多种电子系统中,包括但不限于:工业自动化控制系统中的继电器和传感器接口;消费电子产品中的信号放大和开关控制电路;汽车电子系统中的LED驱动和电平转换模块;通信设备中的模拟和数字信号处理单元;以及各类需要多晶体管集成的嵌入式系统。其紧凑的封装和优异的性能也使其成为智能家电、智能照明和便携式电子设备的理想选择。

替代型号

BC847B/BSS138, BC807-25, BC817-25, 2N3904/2N3906, MMBT3904/MBT3906

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PDTA123EMB,315参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格10,000 : ¥0.28676卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)50 V
  • 电阻器 - 基极 (R1)2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2)2.2 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)30 @ 20mA,5V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)150mV @ 500μA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1μA
  • 频率 - 跃迁180 MHz
  • 功率 - 最大值250 mW
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳3-XFDFN
  • 供应商器件封装DFN1006B-3