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PDTA114ET,215 发布时间 时间:2025/9/15 1:28:58 查看 阅读:4

PDTA114ET,215 是一款由Nexperia(原Philips半导体部门)制造的双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。这款晶体管采用SOT-23(TO-236)封装,具有较高的集成度和稳定性,适用于多种电子电路中的开关和放大应用。该型号属于PDTA系列,该系列晶体管内部通常集成有基极-发射极电阻,简化了电路设计,减少了外部元件数量。PDTA114ET,215 特别适用于需要紧凑设计和高可靠性的便携式电子设备和工业控制系统。

参数

类型:NPN型晶体管
  封装类型:SOT-23(TO-236)
  最大集电极电流(Ic):100 mA
  最大集电极-发射极电压(Vceo):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcbo):50 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  电流放大系数(hFE):110-800(根据档位不同)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PDTA114ET,215 是一款高性能的NPN晶体管,其主要特性之一是集成了基极-发射极电阻,通常为10 kΩ和1 kΩ(R1和R2),这使得它在数字开关电路中特别有用,减少了外围元件数量,提高了电路的稳定性。该晶体管具备良好的热稳定性和高电流增益(hFE),其范围在110至800之间,具体取决于分档等级(如O档、Y档等),可满足不同应用场景的需求。
  此外,该器件的最大集电极电流为100 mA,最大集电极-发射极电压为50 V,使其适用于中低功率的开关控制和信号放大应用。SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具有良好的散热性能。该晶体管的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,适合在恶劣环境下运行,具有较高的可靠性和耐用性。
  另一个重要特性是其快速开关能力,适用于数字逻辑电路和接口控制。PDTA114ET,215 的设计使其在低电压(如3.3V或5V)系统中表现优异,广泛用于微控制器外围电路、LED驱动、继电器控制以及通信设备中的信号处理模块。

应用

PDTA114ET,215 主要应用于需要集成电阻的晶体管开关电路中。其内置的基极电阻使其特别适用于逻辑电平转换、数字开关控制、LED驱动、继电器驱动、小型电机控制以及音频放大电路中的前置级放大。此外,该晶体管也常用于嵌入式系统中的外围接口电路,如微控制器与高电压负载之间的隔离和驱动。
  在工业控制领域,PDTA114ET,215 可用于传感器信号放大、继电器控制和小型执行器的开关控制。在消费电子产品中,例如智能手表、智能门锁、无线耳机和可穿戴设备中,该晶体管可用于低功耗信号处理和电源管理电路。
  由于其SOT-23封装体积小,便于表面贴装,因此在自动化生产中具有良好的适用性。同时,其宽工作温度范围和高可靠性也使其适用于汽车电子系统,如车载娱乐系统、车身控制模块和车载传感器接口电路。

替代型号

PDTA114EU,215 | PNP互补型号:PDTA124ES,215 | 通用NPN晶体管:2N3904、BC847、MMBT3904

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PDTA114ET,215参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)10k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)150mV @ 500µA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装TO-236AB
  • 包装Digi-Reel®
  • 其它名称568-6425-6