PDTA114EM 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极性晶体管(NPN型)阵列器件,采用6引脚的TSOP(Thin Small Outline Package)封装。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管,适用于需要多个晶体管并行工作的电路设计,从而减少PCB面积并提高可靠性。PDTA114EM主要用于通用开关电路、逻辑电平转换、放大器配置以及小型数字电路中的信号处理。
晶体管类型:NPN型双极晶体管阵列
每个晶体管最大集电极电流:100mA
最大集电极-发射极电压:50V
最大基极电流:5mA
功耗:300mW
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TSOP-6
PDTA114EM 拥有紧凑的设计和高集成度,适合空间受限的电路应用。其NPN晶体管结构允许在高频开关和信号放大应用中表现良好,具有良好的线性度和低噪声特性。此外,该器件具有较高的耐压能力(集电极-发射极间最大电压为50V),可在中等电压环境中稳定工作。TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的热管理和电气性能,适用于表面贴装技术(SMT)组装流程,提高生产效率。
该器件的功耗为300mW,适合低功耗设计,同时其工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,确保其在各种环境条件下都能可靠运行。PDTA114EM还具有较高的可靠性,适合用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及汽车电子系统中的辅助电路。
PDTA114EM 主要应用于需要多个晶体管并行工作的电路,如逻辑电平转换、LED驱动、小型继电器控制、模拟信号放大以及数字开关电路。此外,它也适用于便携式设备中的信号调节电路、传感器接口电路以及微控制器外围电路的扩展控制。在嵌入式系统中,该器件可用于构建H桥驱动器、电机控制电路或缓冲电路,以增强系统功能。由于其良好的热稳定性和紧凑封装,PDTA114EM也常用于空间受限的工业自动化设备、通信模块以及智能传感器网络中。
MMBTA114LT1G, 2N3904, BC847B