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PDTA114EM 发布时间 时间:2025/9/15 2:10:23 查看 阅读:11

PDTA114EM 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的双极性晶体管(NPN型)阵列器件,采用6引脚的TSOP(Thin Small Outline Package)封装。该器件内部集成了两个独立的NPN晶体管,适用于需要多个晶体管并行工作的电路设计,从而减少PCB面积并提高可靠性。PDTA114EM主要用于通用开关电路、逻辑电平转换、放大器配置以及小型数字电路中的信号处理。

参数

晶体管类型:NPN型双极晶体管阵列
  每个晶体管最大集电极电流:100mA
  最大集电极-发射极电压:50V
  最大基极电流:5mA
  功耗:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TSOP-6

特性

PDTA114EM 拥有紧凑的设计和高集成度,适合空间受限的电路应用。其NPN晶体管结构允许在高频开关和信号放大应用中表现良好,具有良好的线性度和低噪声特性。此外,该器件具有较高的耐压能力(集电极-发射极间最大电压为50V),可在中等电压环境中稳定工作。TSOP封装形式不仅节省空间,还具备良好的热管理和电气性能,适用于表面贴装技术(SMT)组装流程,提高生产效率。
  该器件的功耗为300mW,适合低功耗设计,同时其工作温度范围较宽,从-55°C到+150°C,确保其在各种环境条件下都能可靠运行。PDTA114EM还具有较高的可靠性,适合用于消费类电子产品、工业控制设备、通信模块以及汽车电子系统中的辅助电路。

应用

PDTA114EM 主要应用于需要多个晶体管并行工作的电路,如逻辑电平转换、LED驱动、小型继电器控制、模拟信号放大以及数字开关电路。此外,它也适用于便携式设备中的信号调节电路、传感器接口电路以及微控制器外围电路的扩展控制。在嵌入式系统中,该器件可用于构建H桥驱动器、电机控制电路或缓冲电路,以增强系统功能。由于其良好的热稳定性和紧凑封装,PDTA114EM也常用于空间受限的工业自动化设备、通信模块以及智能传感器网络中。

替代型号

MMBTA114LT1G, 2N3904, BC847B

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PDTA114EM参数

  • 典型电阻比1
  • 典型输入电阻器10 k
  • 安装类型表面贴装
  • 宽度0.62mm
  • 封装类型SC-101
  • 尺寸1.02 x 0.62 x 0.47mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型PNP
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大发射极-基极电压-10 V
  • 最大连续集电极电流100 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.15 V
  • 最小直流电流增益30
  • 最高工作温度+150 °C
  • 配置
  • 长度1.02mm
  • 高度0.47mm