时间：2025/9/14 7:01:48
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PDTA113ZM 是一款由 Diodes Incorporated 生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。它通常用于小信号放大和开关应用，具有低饱和电压、高增益和快速开关特性。这款晶体管采用 SOT-23 封装，适用于表面贴装技术（SMT），非常适合用于便携式电子设备、电源管理和通用逻辑电路中的低功耗设计。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
最大功耗（Pd）：200 mW
电流增益（hFE）：80 @ Ic=2 mA, Vce=5 V（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOT-23
PDTA113ZM 的主要特性之一是其高电流增益（hFE），这使得它在小信号放大电路中表现优异。该晶体管的 hFE 典型值为 80，并且在不同的工作条件下具有良好的稳定性。此外，它具有较低的饱和电压（Vce_sat），通常在 0.2 V 以下，这意味着在开关应用中可以实现较低的功率损耗。
该晶体管还具有良好的频率响应特性，可以在高频应用中使用。其过渡频率（fT）可达到 100 MHz 以上，适合用于射频（RF）放大器和高速开关电路。
PDTA113ZM 采用 SOT-23 小型封装，适合表面贴装工艺（SMT），便于在现代电子产品中使用。该封装还具有良好的热性能，在 200 mW 的最大功耗范围内能够有效散热。
另外，该晶体管的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具有较高的环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。
PDTA113ZM 主要用于小信号放大和开关控制电路。在音频放大器中，它可以作为前置放大级，用于提升微弱信号的幅度。此外，它常用于数字电路中的晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中，作为开关元件控制负载的通断。
由于其低饱和电压和高增益特性，该晶体管广泛应用于电源管理电路、LED 驱动电路以及继电器控制电路。在电池供电设备中，PDTA113ZM 可用于高效能的电源开关，以延长设备的续航时间。
在通信设备中，PDTA113ZM 可用于射频信号放大和调制电路。其高频响应能力使其适用于无线模块、蓝牙设备和低功率无线发射器等应用场景。
此外，它还常用于传感器接口电路，作为信号放大或电平转换器件。例如，在温度传感器或光敏传感器中，PDTA113ZM 可以将传感器输出的微弱信号放大到合适的电压水平，以便于后续的模数转换处理。
BC817-25, 2N3904, PN2222A
