型号：PDS69C6B-5
　　工作电压范围：85VAC - 265VAC
　　输出功率：最大支持约6W输出功率
　　集成MOSFET：700V
　　开关频率：66kHz
　　启动时间：典型值为10ms
　　过温保护（OTP）：内置
　　过压保护（OVP）：内置
　　欠压锁定（UVLO）：典型值为47V（关闭）/72V（开启）
　　效率：在115VAC输入时，空载功耗<10mW
　　封装形式：SMD-12

PDS69C6B-5具备多项先进特性，包括集成高压MOSFET，简化设计并减少外部元件数量；采用多模式控制技术（包括准谐振和非连续导通模式），在不同负载条件下优化效率，尤其是在轻载时显著降低功耗；内置全面的保护功能，如过温保护、过压保护、欠压锁定等，确保系统稳定性和可靠性；其66kHz的高频开关特性有助于减小变压器体积，提升功率密度；此外，PDS69C6B-5还支持快速动态响应，能够适应负载的快速变化，保持输出电压的稳定。该芯片的高集成度设计不仅降低了BOM成本，还提升了整体系统的可靠性。
　　芯片采用节能技术，在空载或轻载条件下可自动进入低功耗模式，从而实现极低的待机损耗，符合国际能效标准。其设计灵活性强，适用于多种输入电压范围和输出配置，能够满足不同的应用需求。同时，PDS69C6B-5的热设计也经过优化，能够在较高的环境温度下稳定工作。

PDS69C6B-5主要应用于低功率离线电源领域，如USB充电器、手机充电器、数码相机电源适配器、智能家居设备电源、无线耳机充电盒电源、LED照明驱动电源、智能电表电源、便携式医疗设备电源等。由于其高效的能效管理和紧凑的设计特性，PDS69C6B-5特别适合需要满足严格能效标准（如Energy Star、CoC Tier 2）的应用场景。此外，该芯片也可用于工业控制系统的辅助电源、传感器供电模块、低功耗物联网设备电源等需要高可靠性和低待机功耗的场合。

PDS69C6B-5的替代型号包括PDS69C6B-5R、PDS69C6B-5Q，以及功能相似的INN200系列、LNK6766等。