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PDS5100 发布时间 时间:2025/12/26 11:07:33 查看 阅读:14

PDS5100是一款高性能的功率二极管,专为高效率电源转换应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造,具备优异的电气性能和热稳定性,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及续流与箝位电路中。PDS5100属于肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)类别,具有低正向压降和快速恢复特性,能够有效降低导通损耗并提升系统整体能效。其封装形式通常为SMC或类似的大功率表面贴装封装,便于在PCB上实现良好的散热管理和自动化生产装配。
  该器件能够在较高的结温下稳定工作,具备较强的电流承载能力和浪涌耐受能力,适合在工业级温度范围内运行。PDS5100的设计注重可靠性与耐用性,适用于对效率和空间布局有较高要求的应用场景。此外,其反向击穿电压适中,典型值为100V,使其成为许多低压直流电源系统中的理想选择。制造商通常会提供完整的数据手册和技术支持文档,以帮助工程师进行热设计、EMI优化和PCB布局规划。

参数

型号:PDS5100
  类型:肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大直流阻断电压(VR):100V
  平均整流电流(IO):5A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):150A
  正向压降(VF):典型值0.87V,最大值1.0V(在5A条件下)
  反向漏电流(IR):最大250μA(在100V、25°C条件下)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  热阻抗(RθJC):约3.0°C/W
  封装形式:SMC(DO-277)

特性

PDS5100的核心优势在于其低正向压降与高电流处理能力的结合,这使得它在高频开关电源环境中表现出色。在5A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.87V,显著低于传统PN结二极管,从而大幅减少了导通期间的能量损耗,提高了电源系统的整体转换效率。这种低VF特性对于电池供电设备或需要节能认证的产品尤为重要。
  该器件还具备极快的开关响应速度,由于其基于金属-半导体结原理工作,不存在少数载流子存储效应,因此反向恢复时间几乎可以忽略不计。这一特点有效抑制了开关过程中的电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升了系统的电磁兼容性,并降低了对额外缓冲电路的需求。同时,PDS5100拥有高达175°C的最大结温,可在高温环境下可靠运行,增强了其在恶劣工况下的适用性。
  其SMC封装不仅体积紧凑,节省PCB空间,而且底部带有散热焊盘,可通过PCB上的铜箔区域实现高效散热,有助于维持长期工作的热稳定性。器件符合RoHS环保标准,支持无铅回流焊接工艺,适应现代绿色制造流程。此外,PDS5100具有较强的抗浪涌能力,可承受高达150A的非重复峰值电流,增强了其在启动或异常负载条件下的鲁棒性。综合来看,这些特性使其成为通信电源、服务器电源、光伏逆变器及工业控制电源等领域中理想的整流与续流元件。

应用

PDS5100广泛用于各类中高功率直流电源系统中,尤其适用于需要高效、快速响应的整流场合。常见应用包括AC-DC开关电源中的输出整流级,特别是在单端正激、推挽或半桥拓扑结构中作为主输出整流二极管使用;在DC-DC变换器中,如Buck、Boost和Flyback电路中担任续流或隔离作用;还可用于太阳能逆变器中的防反接与能量回馈路径,以及电机驱动电路中的感性负载保护。
  在工业电源领域,PDS5100常被用于PLC电源模块、工业网关和嵌入式控制系统中,确保持续稳定的电力供应。其高结温和良好散热设计也使其适用于密闭空间或自然冷却环境下的设备。此外,在电信基础设施中,如基站电源和光网络单元(ONU)中,该器件因其低噪声和高可靠性而受到青睐。消费类电子产品中的大功率适配器、LED驱动电源等也越来越多地采用此类高性能肖特基二极管以满足能效标准。由于其封装兼容性强,易于替换和批量生产,PDS5100也成为许多原始设备制造商(OEM)优选的标准化元器件之一。

替代型号

SB5100
  SS5100
  MUR5100
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