时间：2025/12/26 9:07:32
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PDR5K-13是一款由Vishay Semiconductors生产的高可靠性、表面贴装的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Diode Array），专为保护敏感电子电路免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用紧凑的SOT-23封装，适用于空间受限的便携式和高密度PCB设计应用。PDR5K-13集成了多个双向TVS二极管结构，能够对多条信号线提供高效且低电容的保护，确保高速数据线路的信号完整性不受影响。其主要面向通信接口、消费类电子产品、工业控制设备以及汽车电子等领域，在这些环境中对电磁兼容性（EMC）和系统稳定性有较高要求。该器件符合RoHS标准，并具备无卤素特性，满足现代绿色电子制造的需求。
工作电压：5V
击穿电压：6.4V
钳位电压：13V @ Ipp = 1A
峰值脉冲电流（Ipp）：5A
反向待机电流：≤1μA
二极管电容：≤15pF @ 1MHz
极性：双向
封装类型：SOT-23
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
ESD保护能力：±30kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
PDR5K-13的核心特性之一是其卓越的瞬态过压保护能力，能够在纳秒级时间内响应高达±30kV的静电放电冲击，符合国际电工委员会IEC 61000-4-2 Level 4最高防护等级标准。这种快速响应机制有效防止了因人体接触或设备操作过程中产生的静电对下游CMOS、ASIC或微控制器等敏感元件造成损坏。其双向二极管结构允许在正负两个方向上均能实现对称的电压钳位行为，特别适合用于交流信号或双向数据传输线路如USB、I2C、GPIO等接口的保护。
另一个关键优势在于其低结电容特性（典型值≤15pF），这一参数对于维持高速信号路径的完整性至关重要。在现代数字系统中，尤其是涉及高频信号传输的应用场景下，过高的寄生电容可能导致信号失真、上升/下降时间延长甚至通信错误。PDR5K-13通过优化内部结构设计，在保证强大保护性能的同时将电容影响降至最低，从而支持高达数百Mbps的数据速率而不引入显著干扰。
此外，该器件具有极低的反向漏电流（不超过1μA），这意味着在正常工作状态下几乎不会消耗额外功耗，非常适合电池供电的移动设备和低功耗物联网终端。其SOT-23封装不仅节省PCB面积，还具备良好的热稳定性和机械强度，便于自动化贴片生产。整体热性能优异，可承受5A级别的峰值脉冲电流，并通过AEC-Q101认证，适用于部分车载环境下的非动力系统应用。
PDR5K-13广泛应用于需要高等级ESD保护的电子系统中，尤其适用于便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和数码相机等，用于保护USB端口、音频插孔、触摸屏接口及各种传感器输入线路免受用户操作时引入的静电损害。在工业自动化领域，它被部署于PLC模块、人机界面（HMI）和现场总线通信接口中，以增强系统在恶劣电磁环境下的运行可靠性。此外，该器件也常见于计算机外围设备，如键盘、鼠标和外置存储装置的数据线上，提供稳定的信号保护。在汽车电子方面，尽管不直接用于高压动力系统，但可用于车身控制模块、信息娱乐系统和车内USB充电端口等部位，提升整车的电磁兼容性与用户体验。由于其符合严格的环保标准，PDR5K-13同样适用于医疗设备、测试仪器和智能家居控制系统中的敏感电路防护。
PESD5V0X1BSF, SPHV5_4, ESDA6V1W5B6
