时间：2025/5/26 18:36:40
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DMNH4026SSD是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著提高系统的效率并降低功率损耗。
这款MOSFET适合高频率应用场合，并且其封装设计有助于提升散热性能，从而确保在恶劣环境下的可靠运行。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：2.6mΩ
栅极电荷：37nC
输入电容：1590pF
开关时间：ton=12ns, toff=28ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
DMNH4026SSD具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有效减少功率损耗，适用于高效能系统设计。
2. 高速开关能力，支持高频操作，转换器。
3. 强劲的雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐受力。
4. 小巧的封装形式（如TO-220等），便于安装并提供良好的热传导性。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料制作。
该MOSFET适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 电动工具与家用电器中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器及不间断电源(UPS)系统。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 各种需要快速开关响应的电子线路保护装置。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP16N6S
AO3400
