PDPM6N20V3 时间：2025/5/20 11:12:30 阅读：6

PDPM6N20V3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等应用场合。
　　这款 MOSFET 的最大 drain-source200V，能够承受较高的电压，同时其连续 drain 电流（ID）在 25°C 下可达到 6.8A。由于其优异的动态性能和热特性，它广泛应用于工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中。

参数

最大 drain-source 电压 (VDS)：200V
　　最大 gate-source 电压 (VGS)：±20V
　　连续 drain 电流 (ID)：6.8A
　　导通电阻 (RDS(on))：190mΩ (在 VGS=10V 时)
　　总功耗 (Ptot)：245W
　　工作结温范围 (TJ)：-55°C 至 +175°C
　　栅极电荷 (Qg)：29nC
　　输入电容 (Ciss)：2050pF

特性

PDPM6N20V3 具有非常低的导通电阻 RDS(on)，这使得它在导通状态下的功耗较低，提高了整体效率。
　　其封装采用 TOLL 技术，这种封装方式具有良好的散热性能，可以有效降低热阻，从而提高器件的工作稳定性。
　　此外，该器件的高开关速度减少了开关损耗，适合高频开关应用。
　　MOSFET 内部还集成了反向二极管，可以有效保护器件免受反向电压的影响。
　　它的高雪崩击穿能力和高可靠性也使其能够在恶劣环境下稳定运行。

应用

PDPM6N20V3 广泛应用于各种功率转换和控制电路中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS)
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 电机驱动
　　4. UPS 系统
　　5. 电池充电器
　　6. 汽车电子系统
　　7. 工业自动化设备
　　由于其出色的性能和可靠性，这款 MOSFET 是许多高效率、高密度设计的理想选择。