类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：4.3A
　　最大漏源电压 (Vds)：20V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±12V
　　导通电阻 (Rds(on))：80mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散 (Pd)：1.6W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：DFN2020
　　

PDN335N-NL 具备一系列优异的电气特性和物理特性，适用于高密度和高效能的电源管理设计。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中更低的功率损耗，从而提高整体系统效率。当栅极电压为 4.5V 时，Rds(on) 仅为 80mΩ，这使得该器件在低压降应用中表现出色。
　　其次，该 MOSFET 支持高达 4.3A 的连续漏极电流，在紧凑的封装中提供强劲的电流处理能力，适合用于小型化电源模块和便携式设备。
　　此外，PDN335N-NL 采用 DFN2020 封装，具有良好的热管理性能，能够在有限的空间内实现高效的散热。这种封装形式还支持自动贴片工艺，提高了生产效率。
　　器件的栅极驱动电压范围为 ±12V，兼容常见的 5V 和 3.3V 控制电路，如微控制器和数字信号处理器（DSP），便于集成到多种系统中。
　　最后，PDN335N-NL 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应各种严苛环境下的运行，确保在极端温度条件下的稳定性和可靠性。

PDN335N-NL 的高效率和小尺寸特性使其广泛应用于多个领域。
　　在电源管理方面，该器件常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统中，尤其适合低电压、高效率的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　在工业控制领域，PDN335N-NL 可用于电机驱动、传感器模块和自动化设备中的电源开关控制，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
　　此外，该 MOSFET 还可用于电源适配器、USB PD 充电模块和 LED 照明驱动电路，满足现代电子设备对节能和小型化的需求。
　　由于其良好的热性能和高电流能力，PDN335N-NL 也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车载信息娱乐系统和电动工具中的功率管理模块。

SI2302DS-T1-GE3, BSS138K, FDN335N, NVTFS5C471NL