CS4N60A4TDY 时间：2025/8/1 19:35:49 阅读：16

CS4N60A4TDY是一款功率MOSFET，通常用于高电压和高电流的应用。该器件采用了先进的工艺技术，具有优良的热稳定性和电流处理能力。CS4N60A4TDY属于N沟道MOSFET，其设计适用于电源转换、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效能开关的场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：600V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.5Ω（最大值，具体取决于温度和制造批次）
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：约2V至4V
　　功率耗散（Pd）：50W

特性

CS4N60A4TDY具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其高漏源电压（600V）和较高的连续漏极电流（4A）使其适用于多种中高功率应用。该器件的导通电阻较低，有助于减少开关损耗并提高效率。此外，CS4N60A4TDY采用TO-252（DPAK）封装形式，具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。
　　该MOSFET的栅极阈值电压在2V至4V之间，确保了其在标准逻辑信号下的可靠开关操作。同时，其宽的工作温度范围允许在极端环境下使用，而不影响器件的性能和可靠性。
　　CS4N60A4TDY还具备良好的短路耐受能力，能够承受瞬时过载电流，从而提高了系统的鲁棒性。此外，由于其MOSFET结构的特性，该器件具有快速的开关速度，减少了开关损耗，适用于高频开关应用。