时间：2025/6/17 16:27:20
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PDF20N20是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率转换应用。该器件采用PDFN封装，具有低导通电阻和高电流承载能力的特点，适合需要高效能和小型化的电路设计。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：20A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：35nC
总功耗：200W
结温范围：-55℃ to 150℃
PDF20N20具备高耐压和低导通电阻的特性，能够显著降低功率损耗并提高效率。其快速开关性能使得它在高频开关应用中表现出色。
此外，该器件采用了先进的制造工艺，确保了优异的热稳定性和可靠性。PDFN封装形式使其非常适合空间受限的应用场景。
主要特点包括：
- 高击穿电压，支持高达200V的工作环境
- 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗
- 快速开关速度，适合高频应用
- 小巧的PDFN封装，便于集成到紧凑型设计中
- 宽广的工作温度范围，适应多种工作条件
PDF20N20广泛应用于各类功率电子领域，例如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动、LED照明以及各种工业控制设备。
具体应用包括：
- 开关电源中的功率开关
- 电动工具和家电中的电机驱动
- LED照明系统的恒流控制
- 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理
- 工业自动化设备中的负载开关
IRFZ44N
STP20NF20
FDP5570
