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PBSS8110D 发布时间 时间:2025/9/15 2:01:40 查看 阅读:5

PBSS8110D是一款由Nexperia(安世半导体)生产的NPN型双极性晶体管(BJT),采用SOT23表面贴装封装。这款晶体管专为高电流开关应用而设计,具有较高的电流承载能力和较低的饱和电压,适用于各种需要高效率和高性能的电子电路中。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  最大集电极电流(Ic):1 A
  最大集电极-发射极电压(Vce):40 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  增益带宽积(fT):100 MHz
  电流增益(hFE):在Ic=2 mA时为110至800(根据等级不同)
  饱和电压(Vce_sat):最大0.3 V(在Ic=1 A时)
  封装类型:SOT23

特性

PBSS8110D采用了先进的技术,具有优异的电气性能和可靠性。其主要特性包括:
  ? 高集电极电流能力:该晶体管能够承受高达1 A的集电极电流,使其适用于需要高电流驱动能力的应用,如电机控制、继电器驱动和电源管理。
  ? 低饱和电压:PBSS8110D的Vce_sat在最大负载下仅为0.3 V,这有助于减少功耗并提高能效,特别适合于电池供电设备和低功耗设计。
  ? 高速开关性能:晶体管的增益带宽积为100 MHz,意味着它可以在较高频率下工作,适用于需要快速开关的数字电路和射频应用。
  ? 优良的热稳定性:由于采用了高效的散热封装设计,PBSS8110D在高电流工作条件下仍能保持良好的稳定性和可靠性,避免过热损坏。
  ? 多种增益等级选择:hFE值范围广泛(110至800),用户可以根据具体应用需求选择合适的晶体管等级,从而优化电路性能。
  ? 小型SOT23封装:该晶体管采用紧凑的SOT23封装形式,便于在PCB上安装,同时节省空间,适用于高密度电子设备。

应用

PBSS8110D广泛应用于多种电子系统中,包括:
  ? 电源管理电路:由于其高电流承载能力和低饱和电压,PBSS8110D常用于DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等电源管理应用。
  ? 电机驱动和继电器控制:在工业自动化和家电控制中,PBSS8110D可用于驱动小型直流电机、继电器和其他高电流负载。
  ? 数字开关电路:凭借其高速开关特性和多种增益等级,该晶体管适合用作数字电路中的开关元件,如逻辑门驱动器和信号放大器。
  ? 汽车电子系统:PBSS8110D的高可靠性和耐久性使其成为汽车电子系统中的理想选择,如车灯控制、电动窗驱动和车载充电器等应用。
  ? 消费类电子产品:在智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中,PBSS8110D可用于电源管理和信号切换等关键功能。

替代型号

PBSS8110D的替代型号包括PBSS8110E、PBSS8105DP、PBSS8105ED和BCX70系列晶体管。这些型号在性能和封装上与PBSS8110D相似,可以根据具体需求进行选择。

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PBSS8110D参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.7mm
  • 封装类型TSOP
  • 尺寸1 x 3.1 x 1.7mm
  • 引脚数目6
  • 晶体管类型NPN
  • 最低工作温度-65 °C
  • 最大功率耗散700 mW
  • 最大发射极-基极电压5 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.05 V
  • 最大直流集电极电流1 A
  • 最大集电极-发射极电压100 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.2 V
  • 最大集电极-基极电压120 V
  • 最小直流电流增益80 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率100 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别双极小信号
  • 配置单四集电极
  • 长度3.1mm
  • 高度1mm