时间：2025/6/3 11:10:34
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PDC0982BX是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率并减少发热。PDC0982BX支持大电流应用，并具备良好的热稳定性和电气特性。
型号：PDC0982BX
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-252/DPAK
最大漏源电压(Vds)：40V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：1.7mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：21W
工作温度范围：-55°C至+175°C
栅极电荷(Qg)：35nC
PDC0982BX的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，可满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能，适用于高频电路设计。
4. 紧凑型DPAK封装，便于安装并提供良好的散热性能。
5. 广泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下也能稳定运行。
6. 内置反向二极管，简化了电路设计并提高了可靠性。
7. 符合RoHS标准，环保且适合现代化工业生产。
PDC0982BX适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率调节。
6. 汽车电子系统中的电池管理和配电。
7. 其他需要高效功率切换的场合。
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