50MS747M8X7 时间：2025/9/8 19:32:09 阅读：33

50MS747M8X7 是由Mitsubishi Electric生产的一款IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块，适用于高功率应用。该模块结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，广泛应用于工业电机控制、逆变器、UPS系统以及可再生能源系统中。

参数

类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vce）：600V
　　集电极电流（Ic）：75A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：模块
　　短路耐受能力：有
　　绝缘电压：2500Vrms
　　安装类型：通孔安装

特性

50MS747M8X7具有低饱和压降和出色的热性能，使其在高功率应用中表现优异。该模块采用先进的沟道型IGBT芯片技术，显著降低了导通损耗和开关损耗。此外，它具有良好的短路保护能力，确保在异常条件下不会立即损坏，提高了系统的可靠性。内部采用多芯片并联设计，增强了电流承载能力。模块的封装结构提供了良好的绝缘性能，适用于各种高电压隔离需求。此外，其紧凑的设计和优化的热管理能力使其适用于空间受限和高密度安装的应用场景。