PD55008
时间:2023/4/24 11:06:16
阅读:289
概述
制造商:STMicroelectronics
产品种类:RFMOSFET功率
RoHS:否
配置:Single
汲极/源极击穿电压:40V
闸/源击穿电压:+/-20V
漏极连续电流:4A
功率耗散:52.8W
最大工作温度:+165℃
封装/箱体:PowerSO-10-4
封装:Tube
最小工作温度:-65℃
安装风格:SMD/SMT
产品类型:RFMOSFETPower
晶体管极性:N-Channel
PD55008推荐供应商
更多>
- PD55008L-E
- 深圳市星源微科技有限公司
- 2910
- STMICROELECTRONICS
- 16+/POWERFLAT(5X5)
-
PD55008资料
更多>
- PD55008
- RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plas...

-
阅览
- PD55008
- RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plas...
- STMICROELECTR...
-
阅览
下载
- PD55008L
- RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plas...

-
阅览
- PD55008L
- RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plas...
- STMICROELECTR...
-
阅览
下载
- PD55008S
- RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plas...

-
阅览
- PD55008S
- RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plas...
- STMICROELECTR...
-
阅览
下载
- PD55008TR
- RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLAS...
- ETC
-
阅览
PD55008参数
- 标准包装50
- 类别分离式半导体产品
- 家庭RF FET
- 系列-
- 晶体管类型LDMOS
- 频率500MHz
- 增益17dB
- 电压 - 测试12.5V
- 额定电流4A
- 噪音数据-
- 电流 - 测试150mA
- 功率 - 输出8W
- 电压 - 额定40V
- 封装/外壳PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商设备封装PowerSO-10
- 包装管件