类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：500V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：5A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.85Ω
　　功率耗散(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单管

PD505M 具备以下主要特性：
　　1. **高耐压能力**：PD505M 的漏源电压最大可达500V，使其适用于高压开关应用，如电源适配器、充电器和DC-DC转换器等。
　　2. **低导通电阻**：导通电阻Rds(on)的典型值为0.85Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。
　　3. **高电流承载能力**：连续漏极电流可达5A，支持中高功率负载的控制和切换。
　　4. **良好的热稳定性**：TO-220封装提供了较好的散热性能，确保在较高功率下仍能保持稳定工作。
　　5. **快速开关性能**：具备较短的开关时间，适合高频开关应用，从而减小外部元件的尺寸并提高转换效率。
　　6. **宽工作温度范围**：支持从-55°C到+150°C的温度范围，适合在恶劣环境条件下运行。
　　7. **高可靠性设计**：采用了Panasonic的先进功率MOSFET制造技术，确保在长期运行中具有良好的稳定性和可靠性。

PD505M 主要应用于以下领域：
　　1. **电源管理**：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，作为主开关器件以提高转换效率。
　　2. **工业控制**：用于工业自动化设备中的功率控制模块，如电机驱动、继电器控制和负载开关。
　　3. **照明系统**：用于LED驱动电路和电子镇流器，实现高效能的照明控制。
　　4. **消费电子产品**：如充电器、电源插座、智能家电等，提供稳定可靠的功率控制。
　　5. **通信设备**：用于通信电源模块和数据传输设备中的电源管理部分。
　　6. **汽车电子**：适用于车载电源系统和LED照明控制电路，满足较高的可靠性和稳定性要求。

STP5NK50Z, IRF840, FDPF5N50