制造商：NXP Semiconductors
　　产品系列：PCKV857A
　　元件类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　正向电压（VF）：典型值1.2V
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：最大值0.3V
　　隔离电压（Viso）：5000 VRMS
　　上升时间（tr）：典型值4 μs
　　下降时间（tf）：典型值3 μs
　　工作温度范围：-55°C ~ +110°C
　　封装/外壳：SOIC-4 (DIP-4 SMD)
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　输入波长：950 nm
　　电流传输比（CTR）：50% ~ 600% @ IF = 5mA, VCE = 5V
　　最大集电极电流：50 mA
　　最大功耗：200 mW
　　绝缘电阻：最小10^11 Ω
　　爬电距离：≥7.5 mm
　　间隙距离：≥7.5 mm

PCKV857ADGG具备优异的电气隔离性能，其内部结构采用高绝缘材料封装，提供高达5000 VRMS的隔离电压，可有效防止高压侧对低压控制电路的干扰或损坏，适用于需要强电与弱电隔离的应用场景。该器件的输入端为红外LED，具有低正向压降（典型1.2V），可在低至1.0V的驱动电压下启动，在5mA典型驱动电流下即可实现高效发光，配合高灵敏度光敏晶体管输出端，使得整体电流传输比（CTR）在50%至600%之间，表现出良好的信号增益能力。这种高CTR特性不仅提升了信号传递效率，还允许使用更低功耗的驱动电路，有助于系统节能设计。
　　该光耦采用SOIC-4小外形封装，尺寸紧凑，便于在高密度PCB布局中使用，且支持回流焊和波峰焊工艺，适合大规模自动化生产。其封装材料具有优良的耐热性和抗湿性，确保在高温高湿环境下长期稳定运行。PCKV857ADGG的工作温度范围宽达-55°C至+110°C，可在极端环境条件下保持性能一致性，适用于工业自动化、汽车电子、医疗设备等严苛应用场景。器件响应速度快，上升时间典型值为4μs，下降时间为3μs，支持最高约1Mbps的数据传输速率，能够胜任中高速数字信号隔离任务，例如PLC通信、开关电源反馈、I/O隔离模块等。
　　此外，PCKV857ADGG通过了UL1577、IEC/EN/DIN EN 60747-5-5等多项国际安全标准认证，保证其在长期使用中的可靠性和安全性。其输入与输出之间的电容小（典型值仅为0.8pF），有助于减少高频噪声耦合，提升系统的抗干扰能力。器件还具备良好的线性度和温度稳定性，CTR随温度变化较小，确保在不同工作温度下输出特性的一致性。由于其引脚兼容标准4-pin光耦（如PC817、LTV817等），可作为这些型号的升级替代品，在不改变PCB设计的前提下提升系统性能。整体而言，PCKV857ADGG是一款集高性能、高可靠性与高集成度于一体的现代光耦器件，适用于多种工业与消费类电子系统。

PCKV857ADGG广泛应用于需要电气隔离的各类电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号安全地传送到初级侧PWM控制器，防止高压窜入低压控制部分。在工业自动化领域，它被大量用于PLC（可编程逻辑控制器）的输入/输出模块，实现现场传感器或执行器与中央处理单元之间的信号隔离，提高系统抗干扰能力和运行稳定性。在通信接口电路中，如RS-232、RS-485、CAN总线等，PCKV857ADGG可用于隔离数据信号，防止地环路噪声和电压差引起的通信故障。
　　此外，该器件也适用于逆变器、UPS（不间断电源）、电机驱动器等电力电子设备中，作为驱动信号隔离元件，保护主控MCU免受功率级高压波动的影响。在医疗电子设备中，由于其具备高隔离电压和安全认证，可用于患者连接设备的信号隔离，满足医用电气设备的安全规范要求。在智能电表、光伏汇流箱、电池管理系统（BMS）等新能源相关产品中，PCKV857ADGG可用于状态监测信号的隔离传输，确保数据采集的准确性和系统的安全性。由于其表面贴装封装形式，特别适合现代无铅焊接工艺和紧凑型电子产品设计，广泛应用于工业控制板、电源模块、通信网关、嵌入式控制系统等。凭借其高可靠性与宽温工作能力，PCKV857ADGG也成为户外设备、车载电子和轨道交通系统中的理想选择。

PCKV857ACGG
　　PCKV857ASCGG
　　PC817X1NIP0F
　　EL817(C)(TA)-F
　　TLP781(GB-TP)