时间：2025/12/28 10:55:59
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PCFE20161T-R47MDR是一款由TDK公司生产的高性能功率电感器，属于其PCF-E系列的一部分，专为高效率、小尺寸的电源转换应用设计。该电感器采用紧凑型表面贴装（SMD）封装，适用于现代高密度印刷电路板（PCB）布局。其型号中的'2016'表示其封装尺寸为2.0mm x 1.6mm（英制0806），是目前小型化电子设备中广泛使用的标准尺寸之一。'R47M'代表其标称电感值为0.47μH，允许±20%的公差，而'DR'则指代其直流电阻（DCR）等级和磁屏蔽结构。这款电感器特别适合用于便携式消费电子产品、移动通信设备、笔记本电脑以及各类DC-DC转换器中，尤其是在需要高效能和低损耗的应用场景下表现出色。PCFE20161T-R47MDR采用了先进的铁氧体材料和绕线工艺，具备良好的饱和特性和温度稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电感性能。此外，该器件具有优异的抗电磁干扰（EMI）能力，得益于其磁屏蔽结构，能够有效减少对外部元件的磁场辐射，提升系统整体的电磁兼容性（EMC）。作为TDK在小型功率电感领域的代表性产品之一，PCFE20161T-R47MDR结合了高电流处理能力、低直流电阻和小体积的优势，满足了现代电子设备对节能、小型化和高可靠性的严苛要求。
产品系列：PCF-E
封装尺寸：2.0mm x 1.6mm x 1.0mm
电感值：0.47μH
电感公差：±20%
额定电流（Irms）：550mA
饱和电流（Isat）：700mA
直流电阻（DCR）：320mΩ 最大
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
自谐振频率（SRF）：典型值 > 200MHz
屏蔽类型：磁屏蔽结构
安装方式：表面贴装（SMD）
端子材料：银（Ag）内部电极，外部镀层为Sn/Ni/Cu
PCFE20161T-R47MDR具备卓越的磁屏蔽性能，其内置的闭合磁路结构显著降低了漏磁通，从而有效抑制了邻近元件之间的电磁干扰。这种设计不仅提升了系统的电磁兼容性（EMC），还使得该电感可以在高密度布线环境中安全使用，不会对敏感信号线路造成影响。此外，由于其屏蔽结构采用的是高性能铁氧体材料，能够在高频工作条件下保持较低的磁芯损耗，进一步提高了电源转换效率。
该电感器采用了精细的铜线绕组与多层陶瓷基板技术相结合的制造工艺，实现了极低的直流电阻（DCR），最大仅为320mΩ，这直接减少了因电阻引起的功率损耗（I2R损耗），有助于提高DC-DC转换器的整体效率，尤其在电池供电设备中可延长续航时间。同时，低DCR也有助于降低器件自身温升，在持续负载条件下保持稳定性能。
在电流处理能力方面，PCFE20161T-R47MDR表现出色，其额定均方根电流（Irms）达到550mA，而饱和电流（Isat）高达700mA，意味着即使在瞬态大电流冲击下，电感值也不会急剧下降，保证了电源回路的稳定性。这一特性对于应对现代处理器或射频模块突发功耗变化至关重要。
该器件的工作温度范围宽达-40°C至+125°C，适用于各种恶劣环境下的工业、汽车及消费类电子产品。其材料和结构设计确保了在高温环境下仍能维持良好的机械强度和电气性能，避免因热应力导致开裂或失效。此外，PCFE20161T-R47MDR符合RoHS指令和无卤素要求，支持环保生产流程，并具备良好的可焊性和耐焊接热冲击能力，适用于回流焊工艺。
PCFE20161T-R47MDR广泛应用于各类小型化、高效率的电源管理系统中，特别是在空间受限但对性能要求较高的便携式电子设备中表现突出。它常被用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备（如智能手表和健康监测仪）中的DC-DC降压或升压转换器，作为储能和滤波元件，帮助实现高效的电压调节。在这些应用中，其小尺寸和高电流能力使其成为理想的功率电感选择。
在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、NFC和5G射频前端电源管理）中，该电感可用于为射频放大器、锁相环（PLL）或收发器提供干净且稳定的电源，利用其低噪声和高滤波性能来减少电源纹波对信号质量的影响。此外，在嵌入式微控制器单元（MCU）、传感器供电电路以及FPGA的辅助电源轨中，PCFE20161T-R47MDR也发挥着关键作用。
由于其出色的温度稳定性和可靠性，该器件还可用于工业控制设备、便携式医疗仪器以及车载信息娱乐系统等对长期运行稳定性有较高要求的场合。在LED驱动电路中，也可用作恒流源的储能元件，确保光线输出的平稳性。总之，凡是需要在有限空间内实现高效、低噪、高可靠电源转换的应用，PCFE20161T-R47MDR都是一个极具竞争力的选择。
SLF2016T-R47M-D
VLS201610ET-470M-J
MLZ2016R47ST
