类型：光耦合器
　　电流传输比（CTR）：20% 至 400%（取决于型号后缀）
　　最大正向电流（IF）：60 mA
　　最大集电极电流（IC）：150 mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：30 V
　　最大功耗（PD）：100 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装类型：DIP-4 或 SMD-4

PC4N36VI 的主要特性包括高隔离电压、良好的线性度和快速响应时间。其电流传输比（CTR）具有多个等级可选，使其适用于不同应用场景。该器件的封装形式包括标准的 DIP-4 和 SMD-4，便于在不同类型的 PCB 上安装。此外，PC4N36VI 具有较高的抗干扰能力，在工业环境中能够稳定工作。
　　其电气隔离能力可达 5000 Vrms，确保了在高压环境下电路的安全运行。LED 和光电晶体管之间的光耦合效率高，保证了信号的可靠传输。该器件的响应时间较快，适合用于开关频率较高的场合。同时，其低功耗设计也适用于节能型电子产品。
　　PC4N36VI 还具备良好的耐久性和可靠性，能够在恶劣的工业环境下长期稳定运行。其封装材料符合 RoHS 标准，支持环保应用。该光耦合器在设计上优化了绝缘性能，适用于需要高安全性的应用场合。

PC4N36VI 广泛应用于工业自动化控制系统、电机控制、变频器、PLC（可编程逻辑控制器）、电源转换器、通信接口隔离、医疗设备以及家电控制电路中。其主要作用是实现信号隔离，防止高压干扰或损坏后端电路。在电源管理应用中，该器件可用于反馈控制和过流保护。此外，它也常用于数字隔离电路、继电器驱动和传感器接口电路。

PC817, 6N137, TLP521, HCPL-2630