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PC4H520NIP 发布时间 时间:2025/8/28 3:22:00 查看 阅读:8

PC4H520NIP是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能、高集成度的MOSFET驱动芯片,广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该芯片专为驱动N沟道MOSFET设计,具有高速开关能力、低传播延迟和较强的驱动能力,适用于DC-DC转换器、电机驱动、同步整流等多种功率电子应用。PC4H520NIP采用高性能CMOS技术制造,具备良好的抗干扰能力和稳定性,能够在恶劣的工业环境下可靠运行。

参数

类型:MOSFET驱动器
  供电电压:4.5V ~ 20V
  输出电流(峰值):±2A
  传播延迟:15ns(典型值)
  上升/下降时间:5ns(典型值)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:8引脚SOIC、DIP
  输入逻辑类型:TTL/CMOS兼容
  驱动方式:高低边驱动(High-Side/Low-Side)

特性

PC4H520NIP具有多项优异特性,使其在功率驱动领域中表现出色。
  首先,该芯片支持宽范围的供电电压(4.5V至20V),适用于多种电源架构,能够兼容12V、15V和18V等常见驱动电压,增强了设计的灵活性。其±2A的峰值输出电流可以有效驱动大功率MOSFET,确保快速开关,降低开关损耗。
  其次,PC4H520NIP具备极低的传播延迟(仅15ns),可确保驱动信号的实时性和精确性,适用于高频开关应用,如同步整流和谐振变换器。同时,其上升和下降时间仅为5ns,有助于提高系统效率并减少电磁干扰(EMI)。
  该芯片还集成了欠压锁定(UVLO)保护功能,防止在电源电压不足时误动作,保障系统的稳定性。此外,PC4H520NIP采用了高抗噪设计,具备良好的抗干扰能力,适用于工业、汽车等复杂电磁环境。
  PC4H520NIP支持高边和低边驱动模式,适用于半桥和全桥拓扑结构,广泛用于DC-DC转换器、电机控制器、电源模块和功率因数校正(PFC)电路中。
  最后,PC4H520NIP采用8引脚SOIC或DIP封装,便于PCB布局和散热设计,适用于表面贴装或通孔安装工艺,满足不同应用场景的需求。

应用

PC4H520NIP广泛应用于各类功率电子设备中,包括:高性能DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块、同步整流器、功率因数校正(PFC)电路、电池充电系统、工业自动化设备、LED照明驱动器以及汽车电子中的功率控制模块等。由于其优异的驱动性能和稳定性,该芯片特别适用于高频、高效率的功率转换系统。

替代型号

TC4420, IRS2104, LM5106, UCC27524

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PC4H520NIP参数

  • 标准包装3,000
  • 类别隔离器
  • 家庭光隔离器 - 晶体管,光电输出
  • 系列-
  • 通道数1
  • 输入类型DC
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 电流传输比(最小值)1000% @ 1mA
  • 电流传输比(最大)-
  • 输出电压350V
  • 电流 - 输出 / 通道120mA
  • 电流 - DC 正向(If)50mA
  • Vce饱和(最大)1.4V
  • 输出类型达林顿晶体管
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳4-SMD
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称425-1379-2