类型：晶体管输出型光耦
　　输入电流（IF）：最大 50 mA
　　正向电压（VF）：典型值 1.2 V @ 10 mA
　　集电极-发射极电压（VCEO）：最大 30 V
　　集电极电流（IC）：最大 150 mA
　　电流传输比（CTR）：最小 100% @ IF=5mA, VCE=5V
　　隔离电压：2500 Vrms
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　封装形式：4-PDIP

PC356N1T 的核心优势在于其出色的电气隔离性能和稳定的工作表现。该光耦采用 GaAs 发光二极管与硅光电晶体管组合，确保了光信号的高效转换和响应速度。其电流传输比（CTR）高达 100% 以上，在低输入电流条件下也能保持良好的输出性能，适用于多种低功耗应用场景。
　　该器件具备高达 2500 Vrms 的隔离电压，能够在高压与低压电路之间提供可靠的电气隔离，有效防止电路损坏和系统故障。此外，PC356N1T 的工作温度范围较宽（-55°C 至 +110°C），适用于各种恶劣环境条件下的工业设备和电源系统。
　　封装方面，PC356N1T 采用标准的 4 引脚 DIP 封装，便于 PCB 布局和自动化装配，广泛用于继电器驱动、信号隔离、开关电源反馈控制等电路中。

PC356N1T 主要用于需要电气隔离的电子系统中，典型应用包括：工业自动化控制系统中的信号隔离、变频器与伺服驱动器的反馈电路、开关电源的次级侧控制回路、家电中的微控制器与高压电路之间的隔离、通信设备中的接口保护等。
　　由于其高 CTR 特性和良好的温度适应性，PC356N1T 也常用于要求高稳定性和高可靠性的汽车电子系统、医疗设备以及智能电表等领域。此外，它还适用于低功耗设计中的逻辑电平转换和开关控制，例如用于将微控制器输出的信号隔离后驱动继电器或 MOSFET 等功率器件。

PC817、EL356N、TLP521、CNY17-3