制造商：Intel
　　产品系列：StrataFlash Embedded Memory
　　存储容量：64 Mbit
　　存储器类型：NOR Flash
　　位宽：8/16-bit
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　访问时间：85 ns
　　封装类型：48-TSOP
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　接口类型：Parallel
　　写周期时间：典型值70μs（扇区擦除）
　　输入/输出电压兼容性：TTL电平兼容
　　组织结构：4096个扇区，每扇区4 KB

PC28F640P33T85的特性之一是其高效的多模式操作能力，支持全电压范围内的读取、编程与擦除功能。该芯片采用Intel的Advanced Sector Architecture（ASA）技术，将整个64Mbit存储空间划分为4096个独立的4KB扇区，允许用户对任意单个扇区执行擦除操作而不影响其他区域的数据，极大提升了数据管理的灵活性与系统更新效率。这种细粒度的擦除机制特别适用于需要频繁进行固件升级或日志记录的应用场景。
　　另一个关键特性是其卓越的读取性能和电气兼容性。85ns的快速访问时间使其能够在高频系统总线下稳定运行，无需插入等待状态即可与主流微处理器直接对接。其并行接口支持x8/x16位模式自动检测，简化了硬件设计，并能兼容多种处理器架构，如ARM、PowerPC、MIPS等。此外，该器件的输入输出引脚均兼容TTL电平，无需额外的电平转换电路即可连接到大多数逻辑芯片，降低了系统复杂性和成本。
　　在可靠性方面，PC28F640P33T85具备强大的耐久性和数据保持能力。每个扇区可承受至少10万次的编程/擦除周期，数据保存时间可达10年以上，适用于长期部署且维护困难的工业环境。芯片内部集成智能算法用于错误管理、编程优化和应力均衡，有效防止因反复写入导致的介质老化问题。同时，提供硬件和软件写保护功能，防止意外或恶意修改关键代码区域，例如引导程序区（boot block）。
　　电源管理也是该器件的重要优势。在待机模式下，电流消耗可低至数十微安，显著降低整体功耗，适合便携式或远程供电系统。此外，其宽电压工作范围（2.7V~3.6V）增强了电源设计的适应性，可在电池电压波动的情况下持续可靠运行。所有这些特性共同构成了一个高度集成、稳定可靠的嵌入式存储解决方案。

PC28F640P33T85主要应用于各类对稳定性、实时性和长期供货有较高要求的嵌入式系统中。在通信设备领域，它常被用作路由器、交换机和基站控制器中的固件存储器，用于存放启动代码（Boot Code）、操作系统映像以及配置参数。由于其快速读取能力和并行接口高带宽特性，能够实现系统的快速启动和高效运行，满足网络设备对即时响应的需求。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端、远程I/O模块等设备中，作为程序存储和关键数据缓存介质。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保在高温车间或严寒户外环境中依然稳定工作，避免因温度变化引发的数据丢失或系统崩溃。
　　在汽车电子领域，PC28F640P33T85可用于车载信息娱乐系统、仪表盘控制模块和车身控制单元中，存储引导程序、诊断代码和校准数据。虽然现代汽车越来越多地转向串行NOR或NAND方案，但在一些老款车型或特定子系统中，这款并行闪存仍具应用价值。
　　此外，在医疗设备、测试测量仪器和军事电子系统中，该芯片也因其高可靠性和抗干扰能力而受到青睐。例如，在便携式监护仪或现场检测设备中，它可以安全地保存设备校准信息和操作日志。总之，凡是需要非易失性、快速访问、可现场更新且寿命长的存储方案的场合，PC28F640P33T85都是一个值得考虑的选择。

MT28EW64A-10NES:R
　　S29GL064N90TF104
　　IS26LV1027B-85GL