时间：2025/12/27 2:53:22
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PC28F128P33BF60A是一款由英特尔（Intel）公司生产的128兆位（Mb）NOR闪存芯片，属于其高性能并行接口闪存产品线的一部分。该器件采用先进的闪存技术制造，具备可靠的非易失性数据存储能力，适用于需要快速代码执行和高耐久性的嵌入式系统应用。该芯片封装形式为48引脚TSOP（薄型小外形封装），便于在空间受限的应用中使用。PC28F128P33BF60A支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），因此非常适合用于工业控制、网络设备、通信基础设施以及汽车电子等严苛环境下的应用场景。该器件的命名规则中，'PC'代表产品系列，'28F'表示为Flash存储器，'128'代表存储容量为128Mbit（即16MB），'P33'表示为3.3V供电的并行接口类型，'BF'代表封装与速度等级，'60A'则指其访问时间约为60纳秒，表明其具有较快的读取响应能力。该芯片主要面向需要直接从闪存运行代码（XIP, eXecute In Place）的应用场景，因其具备随机读取能力强、启动时间短、接口简单等优势，在传统嵌入式设计中广受欢迎。
制造商：Intel
产品系列：StrataFlash Embedded Memory
存储容量：128 Mbit
存储结构：16 MB（2M x 8/1M x 16）
电源电压：2.7 V ~ 3.6 V
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
接口类型：并行异步
访问时间：60 ns
封装类型：48-pin TSOP Type I
编程电压：内部电荷泵生成
写使能/读使能控制：支持CE#、OE#、WE#
组织方式：可配置为x8或x16模式
擦除周期：典型100,000次
数据保持时间：10年以上
PC28F128P33BF60A具备多项关键特性，使其在嵌入式非易失性存储领域中表现出色。首先，该芯片采用Intel的多层单元（MLC）技术与ETOX（EPROM Tunnel Oxide）工艺相结合，实现了高密度存储与可靠性的平衡。其StrataFlash技术允许每个存储单元存储多位数据，从而在不显著增加物理尺寸的前提下提升了有效存储容量，同时通过智能管理算法优化了读写性能和耐久性。该器件支持x8和x16两种总线宽度操作模式，用户可通过硬件配置灵活选择，适应不同的系统总线架构需求，提升了系统设计的兼容性和灵活性。
其次，PC28F128P33BF60A具备快速随机读取能力，60ns的访问时间确保了处理器可以直接从闪存中执行代码而无需先将程序加载到RAM，极大缩短了系统启动时间和降低了内存占用。此外，芯片内置状态轮询机制和Toggle Bit功能，可在编程或擦除操作期间实时反馈操作状态，便于主机系统进行流程控制而不依赖定时等待，提高了系统响应效率。
在可靠性方面，该器件支持硬件写保护功能，通过Vpp引脚或特定命令序列防止误擦写操作，增强了数据安全性。其内部电荷泵设计能够在标准3.3V电源下完成编程和擦除所需的高压生成，无需外部高压电源，简化了电源设计。同时，该芯片符合工业级温度规范，在极端温度环境下仍能稳定工作，适合部署于户外通信设备、车载控制系统等复杂环境中。此外，Intel为其提供完整的软件驱动支持和开发工具链，包括Boot Loader方案和Flash管理中间件，便于客户快速集成并实现固件升级、日志记录等功能。
PC28F128P33BF60A广泛应用于多种对可靠性、性能和稳定性要求较高的嵌入式系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和基站控制器中，用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置参数，支持快速上电自启和远程固件更新。在网络设备中，该芯片的XIP特性使得系统可以在不依赖外部RAM的情况下运行初始化程序，有效降低系统成本和功耗。
在工业自动化控制中，该器件被用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和工控机中，存储控制逻辑、用户界面资源和诊断程序。其宽温工作能力和抗干扰设计确保在工厂恶劣电磁环境下仍能可靠运行。
汽车电子方面，PC28F128P33BF60A可用于车身控制模块（BCM）、仪表盘系统和车载信息娱乐系统的固件存储，满足车规级长期稳定运行的需求。此外，在医疗设备、测试测量仪器和军事通信设备中，该芯片也因其高可靠性和长期供货保障而受到青睐。随着物联网边缘节点设备的发展，该类并行NOR Flash仍在需要确定性响应和高安全性的场景中占据重要地位。
MT28EW128ABA1LPC-0S3K
