型号：PC28F128P33B85D
　　制造商：Intel
　　存储类型：NOR Flash
　　存储容量：128 Mbit (16 MB)
　　接口类型：并行（56-ball PBGA 或 56-pin TSOP）
　　电源电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：56-pin TSOP
　　读取访问时间：70 ns / 85 ns（取决于速度等级）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵生成
　　扇区大小：64 KB 主扇区 + 8 KB 参数扇区
　　总线宽度：x8/x16 可配置
　　写保护功能：硬件写保护（VPP/WP#引脚）
　　待机电流：典型值 100 μA
　　读取电流：典型值 30 mA
　　编程/擦除电流：典型值 50 mA

PC28F128P33B85D具备多项关键特性，使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。首先，该芯片采用了英特尔独有的StrataFlash技术，这是一种基于NOR架构的多电平单元（MLC）技术，允许每个存储单元存储多个数据位，显著提高了存储密度而不牺牲可靠性。相比传统NOR Flash，StrataFlash在相同物理尺寸下可提供更高的容量，有助于缩小PCB面积并降低成本。其次，该器件支持x8和x16两种总线模式，用户可根据系统需求灵活配置，增强了与不同微处理器或控制器的兼容性。其快速的读取访问时间（最低70ns）确保了高效的数据检索能力，特别适合需要高速执行代码的应用场景，如路由器、交换机和工业PLC等设备中的固件运行。
　　另一个重要特性是其强大的耐久性和数据保持能力。PC28F128P33B85D支持高达10万次的编程/擦除周期，在同类产品中表现优异，能够满足长期频繁更新固件的需求。同时，数据保存时间可达10年以上，即使在极端温度条件下也能保证信息完整性。芯片内置智能写入和擦除算法，通过片上状态机自动管理编程过程，减少主控CPU的负担，并提高操作成功率。此外，它还集成了硬件级写保护机制，通过VPP或WP#引脚防止意外写入或擦除，进一步增强系统安全性。
　　该器件还具备低功耗设计优势，支持多种省电模式，包括待机模式和深度掉电模式，可在不使用时大幅降低功耗，适用于对能耗敏感的便携式或远程设备。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能在严苛环境中稳定运行，广泛应用于户外通信基站、车载控制系统等领域。最后，英特尔为该系列提供了完善的开发工具和技术文档支持，包括参考设计、驱动程序库和编程指南，帮助工程师快速完成系统集成与调试。

PC28F128P33B85D广泛应用于多种高性能嵌入式系统中。典型用途包括网络与通信设备，如路由器、交换机和DSL调制解调器，用于存储启动代码（Boot Code）、操作系统映像和配置文件，并支持eXecute-In-Place（XIP）功能，使系统可以直接从Flash中运行程序，减少对外部RAM的依赖，提升启动速度和整体效率。在工业自动化领域，该芯片常用于可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），因其高可靠性和宽温工作能力，能够在工厂恶劣电磁和温度环境下长期稳定运行。
　　此外，该器件也适用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）和仪表盘控制单元，用于存储固件、校准数据和用户设置。由于具备AEC-Q100标准相近的可靠性水平（尽管非车规认证型号），部分工业级版本可在非安全关键类汽车应用中使用。在消费类高端设备中，如数字电视、机顶盒和打印机中，PC28F128P33B85D可用于存放主控程序和图形资源，保障快速响应和稳定运行。
　　军事与航空航天领域也是其潜在应用方向之一，特别是在需要高耐用性、抗干扰能力和长期数据保存的子系统中，例如飞行控制单元或地面通信终端。得益于其并行接口带来的高吞吐量和确定性访问延迟，该芯片非常适合实时性要求高的系统。总体而言，凡是需要在紧凑空间内实现大容量、高可靠、快速读取的非易失性存储场景，PC28F128P33B85D都是一个成熟且经过验证的选择。

MT28EW128ABA1LPC-0SIT
　　S29GL128P_010_10112
　　IS25LP128